Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

О влиянии травления сфокусированным пучком ионов Ga⁺ в диапазоне энергий 12-30 кэВ на люминесцентные свойства гетероструктуры Al_0.18Ga_0.82As/GaAs/Al_0.18Ga_0.82As

DOI: 10.21883/FTP.2022.12.54510.4423

Переводная версия: 10.21883/SC.2022.12.55147.4423

Вознюк Г.В.^1,2, Григоренко И.Н.^1,2, Лила А.С.², Митрофанов М.И.^1,3, Николаев Д.Н.¹, Евтихиев В.П.^1,2

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия ITMO University, St. Petersburg, Russia

³Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия Submicron Heterostructures for Microelectronics, Research and Engineering Center, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

Submicron Heterostructures for Microelectronics, Research and Engineering Center, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

Email: glebufa0@gmail.com

Поступила в редакцию: 8 декабря 2022 г.

В окончательной редакции: 12 декабря 2022 г.

Принята к печати: 12 декабря 2022 г.

Выставление онлайн: 14 января 2023 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследовано влияние энергии ионов в сфокусированном ионном пучке в диапазоне 12-30 кэВ на глубину формирования центров безызлучательной рекомбинации при травлении двойной гетероструктуры Al_0.18Ga_0.82As/GaAs/Al_0.18Ga_0.82As. Показано, что увеличение энергии ионов приводит к росту концентрации и глубины распространения радиационных дефектов. Обнаружено, что при травлении сфокусированным ионным пучком с энергиями ионов более 15 кэВ глубина формирования радиационных дефектов превышает 900 нм, что не соответствует расчетам в программе Stopping and Range of Ions in Matter. Ключевые слова: прямая литография сфокусированным ионным пучком, радиационные дефекты, фотолюминесценция, отжиг, AlGaAs/GaAs.

J. Mayer, L.A. Giannuzzi, T. Kamino, J. Michael. MRS Bulletin, 32, 400 (2007)
P. Li, S. Chen, H. Dai, Z. Yang, Z. Chen, Y. Wang, Y. Chen, W. Peng, W. Shan, H. Duan. Nanoscale, 13, 1529 (2021)
F. Machalett, P. Seidel. Digital Encyclopedia of Applied Physics (N.Y., Wiley-VCH Verlag, 2019)
J.A. Holgui n-Lerma, T.K. Ng, B.S. Ooi. Appl. Phys. Express, 12, 042007 (2019)
M. Yoshida, M.D. Zoysa, K. Ishizaki, W. Kunishi, T. Inoue, K. Izumi, R. Hatsuda, S. Noda. J. Phys. Photonics, 3, 022006 (2021)
G.V. Voznyuk, I.N. Grigorenko, M.I. Mitrofanov, D.N. Nikolaev, M.N. Mizerov, V.P. Evtikhiev. Semiconductors, 54, 1869 (2020)
И.П. Сошников, Н.А. Берт. ЖТФ, 70 (9), 107 (2000)
W.J. Weber, Y. Zhang. Curr. Opin. Solid State Mater. Sci., 23 (4), 100757 (2019)
G.V. Voznyuk, Y.V. Levitskii, M.I. Mitrofanov, M.N. Mizerov, D.N. Nikolayev, V.P. Evtikhiev. J. Phys.: Conf. Ser., 1038, 012080 (2018)
Y.V. Levitskii, M.I. Mitrofanov, G.V. Voznyuk, D.N. Nikolayev, M.N. Mizerov, V.P. Evtikhiev. Semiconductors, 53, 1545 (2019)
A. Azarov, V. Venkatachalapathy, P. Karaseov, A. Titov, K. Karabeshkin, A. Struchkov, A. Kuznetsov. Scientific Rep., 12, 15366 (2022)
Н.А. Берт, К.Ю. Погребитский, И.П. Сошников, Ю.Н. Юрьев. ЖТФ, 62 (4), 163 (1992)
Н.П. Степина, Г.А. Качурин. ФТП, 17 (3), 449 (1983)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель