Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Измерение теплового сопротивления торцевых полупроводниковых лазеров по спектрам спонтанного излучения
Переводная версия: 10.21883/SC.2022.12.55152.4409 
Российский научный фонд, 22-22-00557
Паюсов А.С.
1, Бекман А.А.1, Корнышов Г.О.
2, Шерняков Ю.М.
1, Максимов М.В.
2, Гордеев Н.Ю.
1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Email: plusov@mail.ioffe.ru, supergrigoir@gmail.com, yuri.shernyakov@mail.ioffe.ru, maximov.mikh@gmail.com, gordeev@switch.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 2 декабря 2022 г.
В окончательной редакции: 8 декабря 2022 г.
Принята к печати: 8 декабря 2022 г.
Выставление онлайн: 14 января 2023 г.
Предложен усовершенствованный метод измерения теплового сопротивления торцевых лазерных диодов с помощью спектров спонтанного излучения, измеренных в режиме лазерной генерации через окно в n-контакте. Преимуществом предложенного метода является исключение систематических ошибок, возникающих при измерении теплового сопротивления по спектрам лазерной генерации. Точность метода экспериментально проверена при измерении зависимости теплового сопротивления лазерных диодов с шириной полоскового контакта 100 мкм от длины резонатора. Полученные экспериментальные данные хорошо согласуются с результатами расчетов, минимальная погрешность измерений составила ±0.1 K/Вт. Предложенная методика может быть использована для метрологического сопровождения производства полупроводниковых лазеров. Ключевые слова: лазерный диод, тепловое сопротивление, спонтанное излучение.
- V. Gapontsev, N. Moshegov, I. Berezin, A. Komissarov, P. Trubenko, D. Miftakhutdinov, I. Berishev, V. Chuyanov, O. Raisky, A. Ovtchinnikov. SPIE LASE (February 22, 2017, San Francisco, California, USА) p. 1008604
- B.S. Ryvkin, E.A. Avrutin. J. Appl. Phys., 97, 113106 (2005)
- D.A. Veselov, Y.K. Bobretsova, A.A. Klimov, K.V. Bakhvalov, S.O. Slipchenko, N.A. Pikhtin. Semicond. Sci. Technol., 36, 115005 (2021)
- T.W. Hansch, G.T. Kamiya, T.F. Krausz, G.B. Monemar, L.M. Ohtsu, T.H. Venghaus, B.H. Weber, B.H. Weinfurter. High Power Diode Lasers (Springer New York, N.Y., 2007)
- P. Crump, H. Wenzel, G. Erbert, G. Trankle. SPIE LASE (8 February, 2012, San Francisco, California, USA) p. 82410U
- F. Klopf, S. Deubert, J.P. Reithmaier, A. Forchel. Appl. Phys. Lett., 81, 217 (2002)
- N.K. Dutta, J. Jaques, A.B. Piccirilli. Electron. Lett., 38, 513 (2002)
- V.V Bezotosnyi, O.N. Krokhin, V.A. Oleshchenko, V.F. Pevtsov, Y.M. Popov, E.A. Cheshev. Quant. Electron., 46, 679 (2016)
- A.S. Payusov, N.Y. Gordeev, A.A. Serin, M.M. Kulagina, N.A. Kalyuzhnyy, S.A. Mintairov, M.V. Maximov, A.E. Zhukov. Semiconductors, 52, 1901 (2018)
- Ю.М. Шерняков, Н.Ю. Гордеев, А.С. Паюсов, А.А. Серин, Г.О. Корнышов, А.М. Надточий, М.М. Кулагина, С.А. Минтаиров, Н.А. Калюжный, М.В. Максимов, А.Е. Жуков. ФТП, 55, 256 (2021)
- E. Burstein. Phys. Rev., 93, 632 (1954)
- A.A. Beckman, A.S. Payusov, G.O. Kornyshov, Y.M. Shernyakov, S.A. Mintairov, N.A. Kalyuzhnyy, M.M. Kulagina, M.V. Maximov, N.Y. Gordeev. 2022 Int. Conf. Laser Opt. (June 20--24, 2022, Saint Petersburg) p. 1
- А.Н. Зайдель. Ошибки измерений физических величин (Л., Наука, Ленингр. отд-ние, 1974)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
