Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Диффузия хрома в арсениде галлия

Хлудков С.С.¹, Корецкая О.Б.¹, Тяжев А.В.¹

¹Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия Siberian Institute of Physics and Technology acad. V.D. Kuznetsov, Tomsk State University, Tomsk, Russia

Siberian Institute of Physics and Technology acad. V.D. Kuznetsov, Tomsk State University, Tomsk, Russia

Поступила в редакцию: 3 марта 2003 г.

Выставление онлайн: 18 февраля 2004 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследована диффузия хрома в GaAs по данным измерения толщины высокоомных слоев, возникающих в процессе диффузии глубокого акцептора хрома в n-GaAs. Определена зависимость коэффициента диффузии хрома в GaAs от температуры, давления паров мышьяка, типа проводимости и концентрации носителей заряда. Температурная зависимость коэффициента диффузии описывается уравнением Аррениуса с параметрами: D₀=8·10⁹ см²/с, E=4.9 эВ, зависимость от давления паров мышьяка - выражением: D propto P_As₄^-m, где m~0.4. Полученные экспериментальные результаты интерпретируются с позиций диссоциативного механизма миграции атомов хрома в GaAs.

C.С. Хлудков, О.П. Толбанов. ФТП, 14 (8), 1624 (1980)
C.С. Хлудков, О.П. Толбанов, Д.Л. Будницкий. Изв. вузов. Физика, 41 (8), 39 (1998)
S.S. Khludkov, O.P. Tolbanov, V.E. Stepanov. J. Phys. D.: Appl. Phys., 29, 1559 (1996)
G.I. Ayzenshtat, N.N. Bakin, D.L. Budnitsky, V.P. Germogenov, S.S. Khludkov, O.V. Koretskaya, A.P. Vorobiev, O.P. Tolbanov, K.M. Smith. Nucl. Instr. and Meth. in Phys. Res., Section A, 466, 25 (2001)
C.С. Хлудков, Г.А. Приходько, Т.Н. Карелина. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 8 (6), 1044 (1972)
Х. Кейзи. В кн.: Атомная диффузия в полупроводниках (М., Мир, 1975)
Н.В. Гонтарь, Л.Б. Городник, А.В. Емельянов, Д.Н. Нишанов, В.В. Старостин, А.Н. Шокин. В сб.: Свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1977) с. 31
B. Tuck, A. Adegboyega. J. Phys. D: Appl. Phys., 12 (11), 1895 (1979)
J. Kasahara, N. Watanabe. Jap. J. Appl. Phys., 19 (3), L15 (1980)
M.D. Deal, D.A. Stevenson. J. Appl. Phys., 59 (7), 2398 (1986)
C.С. Хлудков, Н.В. Чалдышева. Изв. вузов. Физика, 25 (5), 115 (1982)
R.H. Hall, J.H. Raccete. J. Appl. Phys., 35, 379 (1964)
Б.И. Болтакс, С.И. Рембеза, М.К. Бахадырханов. ФТП, 10 (2), 432 (1968)
Б.И. Болтакс, Г.С. Куликов, И.М. Никулина, Ф.С. Шишияну. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 11 (2), 348 (1975)
Атомная диффузия в полупроводниках, под ред. Д. Шоу (М., Мир, 1975)
W. Shockley, J.L. Moll. Phys. Rev., 119, 1480 (1960)
Б.И. Болтакс. Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках (Л., Наука, 1972)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель