Роль объемного заряда в формировании сопротивления биполярного полупроводникового образца
Конин А.1
1Институт физики полупроводников, Вильнюс, Литва
Поступила в редакцию: 4 июля 2003 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2004 г.
В линейном приближении по концентрациям неравновесных носителей заряда получено выражение, описывающее не зависящее от протекающего тока сопротивление биполярного полупроводника (закон Ома). Показано, что отклонение сопротивления от классического обусловлено возникающем в полупроводнике объемным зарядом. В зависимости от соотношения приповерхностных проводимостей электронов и дырок сопротивление образца может стать как больше, так и меньше классического. Этот эффект максимален в образцах с малой поверхностной рекомбинацией, длина которых значительно меньше диффузионной длины.
- И.Н. Воловичев, Ю.Г. Гуревич. ФТП, 35, 321 (2001)
- W. Shockley, W.T. Read. Phys. Rev., 87, 835 (1952)
- Ю.Г. Гуревич, Г.Н. Логвинов, Г. Эспехо, О.Ю. Титов, А. Мериуц. ФТП, 34, 783 (2000)
- Yu.G. Gurevich. J. Thermoelectricity, N 2, 5 (1997)
- O.Yu. Titov, J. Giraldo, Yu.G. Gurevich. Appl. Phys. Lett., 80, 3108 (2002)
- Г.Е. Пикус. ЖТФ, 26, 22 (1956)
- Г.П. Пека. Физические явления на поверхности полупроводников (Киев, Вища шк., 1984)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук