Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Транспортные явления в крупнозернистых поликристаллах CdTe

Колосов С.А.¹, Клевков Ю.В.¹, Плотников А.Ф.¹

¹Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия Lebedev Physical Institute, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Lebedev Physical Institute, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Поступила в редакцию: 31 марта 2003 г.

Выставление онлайн: 18 февраля 2004 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы транспортные свойства крупнозернистых поликристаллов CdTe. Результаты интерпретируются на основе модели, предполагающей наличие на границах зерен достаточно большого количества ловушек, энергетические уровни которых однородно распределены внутри запрещенной зоны. Показано, что воздействие белым светом существенно изменяет подвижности основных носителей вследствие изменения высоты межзеренных энергетических барьеров.

H.J. Leamy, G.E. Pike, C.H. Seager. Crain Boundaries in Semiconductors (North Holland, N.Y., 1982)
E.S. Yang. Thin Sol. Films, 93, 287 (1982)
R.R. Shah, D.C. Hollingsworth, G.A. Dejong, D.L. Crosthwait. Electron. Dev. Lett., EDL-2, 159 (1981)
T.I. Kamins. Electron. Dev. Lett., EDL-3, 341 (1982)
I.Y.W. Seto. J. Appl. Phys., 46, 5247 (1975)
N.C.C. Lu, L. Gertzberg, C.Y. Lu, J.D. Meindl. IEEE Trans., ED-28, 818 (1981)
Поликристаллические полупроводники (М., Мир, 1989) ч. 2, с. 116
H.C. de Graaff, M. Huybers, J.G. de Groot. Sol. St. Electron., 25, 67 (1982)
A.L. Fripp. J. Appl. Phys., 46, 1240 (1975)
I.Y.W. Seto. J. Electrochem. Soc., 122, 701 (1975)
G. Baccarani, B. Ricco. J. Appl. Phys., 49, 11 (1978)
R.L. Petritz. Phys. Rev., 110, 1265 (1958)
R.K. Mueller. J. Appl. Phys., 32, 635 (1961)
С.А. Медведев, Ю.В. Клевков. Патент РФ N 243014 от 20.12.1999 г
Ю.В. Клевков, С.А. Колосов, С.А. Медведев, А.Ф. Плотников. ФТП, 35, 1192 (2001)
С.А. Медведев, Ю.В. Клевков, С.А. Колосов, В.С. Кривобок, А.Ф. Плотников. ФТП, 36, 937 (2002)
R.L. Petritz. Phys. Rev., 104, 1508 (1956)
Fanying Meng, Rongqiang Cui. Jap. J. Appl. Phys., 41, 185 (2002)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель