Вышедшие номера
Критический анализ исследования глубоких уровней в высокоомных монокристаллах CdS методом фотоэлектрической нестационарной спектроскопии
Одринский А.П.1
1Институт технической акустики НАН Беларуси, Витебск, Беларусь
Поступила в редакцию: 26 июня 2003 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2004 г.

Обсуждается исследование высокоомных монокристаллов CdS методом фотоэлектрической нестационарной спектроскопии глубоких уровней (ФЭНСГУ). Проведено компьютерное моделирование эксперимента, позволившее сравнить результаты экспериментов, полученные методами ФЭНСГУ и термостимулированной проводимости. Сравниваются экспериментальные возможности этих методов.