Влияние протонного облучения на свойства высоковольтных интегрированных 4H-SiC диодов Шоттки в рабочем диапазоне температур
Российский научный фонд, 22-12-00003
Лебедев А.А.1, Козловский В.В.2, Левинштейн М.Е.1, Малевский Д.А.1, Оганесян Г.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
Email: Shura.Lebe@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 21 декабря 2022 г.
В окончательной редакции: 16 января 2023 г.
Принята к печати: 16 января 2023 г.
Выставление онлайн: 2 марта 2023 г.
Влияние протонного облучения (энергия протонов 15 МэВ) на параметры высоковольтных 4H-SiC интегрированных (JBS) диодов Шоттки впервые исследовано в диапазоне рабочих температур Ti (23 и 175oС). Блокирующее напряжение исследованных диодов, Ub составляло 600 и 1700 В. Для приборов c U_b=600 В диапазон флюенсов Phi составлял 5·1013-1·1014 см-2; для приборов c U_b=1700 В величина Phi составила и 3·1013-6·1013 см-2. Увеличение температуры облучения приводит к заметному уменьшению влияния облучения на вольт-амперные характеристики диодов. Исследовано влияние отжига на вольт-амперные характеристики облученных приборов. Ключевые слова: карбид кремния, диоды Шоттки, протонное облучение, отжиг, вольт-амперные характеристики.
- S. Nigam, J. Kim, F. Ren, G.Y. Chung, M.F. MacMillan, R. Dwivedi, T.N. Fogarty, R. Wilkins, K.K. Allums, C.R. Abernathy, S.J. Pearton, J.R. Williams. Appl. Phys. Lett., 81, 2385 (2002)
- Zh. Luo, T. Chen, J.D. Cressler, D.C. Sheridan, J.R. Williams, R.A. Reed, P.W. Marshall. IEEE Trans. Nucl. Sci., 50 (6), 1821 (2003)
- A. Castaldini, A. Cavallini, L. Rigutti. J. Appl. Phys., 98, 053706 (2005)
- V.V. Kozlovski, A.A. Lebedev, M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev, J.W. Palmour. J. Appl. Phys., 123, 024502 (2018)
- A.A. Lebedev, V.V. Kozlovski, M.E. Levinshtein, A.E. Ivanov, K.S. Davydovskaya. Solid-State Electron., 181--182, 08009 (2021)
- L. Zhao, Y. Tang, Yun Bai, M. Qiu, Zh. Wu, Yu Yang, C. Yang, X. Tian, X. Liu. Electronics, 11, 1341 (2022). https://doi.org/10.3390/electronics11091341
- https://datasheetspdf.com/datasheet/CPW3-0600S002
- https://datasheetspdf.com/datasheet/CPW3-1700S010
- Sh. Ji, Zh. Zhang, Fei Wang. CES Trans. Electric. Machines and Systems, 1, 254 (2017)
- L.F. Zakharenkov, V.V. Kozlovski, B.A. Shustrov. Phys. Status Solidi A, 117, 85 (1990)
- J.F. Ziegler, J.P. Biersack, U. Littmark. The Stopping and Range of Ions in Matter (Pergamon Press, N.Y., 1985)
- P. Hazdra, J. Vobecky. Phys. Status Solidi A, 216, 1900312 (2019)
- A.A. Lebedev, V.V. Kozlovski, K.S. Davydovskaya, M.E. Levinshtein. Materials, 14, 4976 (2021). https://doi.org/10.3390/ma14174976
- M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev, M.S. Shur (eds). Properties of Advanced Semiconductor Materials: GaN, AIN, InN, BN, SiC, SiGe (John Wiley \& Sons Inc. N.Y., 2001)
- V.V. Emtsev, A.M. Ivanov, V.V. Kozlovski, A.A. Lebedev, G.A. Oganesyan, N.B. Strokan, G. Wagner. ФТП, 46, 473 (2012)
- A.A. Lebedev, A.I. Veinger, D.V. Davydov, V.V. Kozlovski, N.S. Savkina, A.M. Strel'chuk. J. Appl. Phys., 88, 6262 (2000)
- А.А. Лебедев, В.В. Козловский, М.Е. Левинштейн, Д.А. Малевский, Г.А. Оганесян, А.М. Стрельчук, К.С. Давыдовская. ФТП, 56 (4), 441 (2022)
- V.V. Kozlovski, A.A. Lebedev, E.V. Bogdanova. J. Appl. Phys., 117, 155702 (2015)
- R. Karsthof, M.E. Bathen, A. Galeckas, L. Vines. Phys. Rev. B, 102, 18411 (2020). https://doi.org/10.1103/PhysRevB.102.184111
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
