Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2023, выпуск 1 » Статья стр. 53
<<<>>>
Влияние протонного облучения на свойства высоковольтных интегрированных 4H-SiC диодов Шоттки в рабочем диапазоне температур
DOI: 10.21883/FTP.2023.01.54930.4475
Переводная версия: 10.21883/SC.2023.01.55620.4475
Российский научный фонд, 22-12-00003
Лебедев А.А.1, Козловский В.В.2, Левинштейн М.Е.1, Малевский Д.А.1, Оганесян Г.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
Email: Shura.Lebe@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 21 декабря 2022 г.
В окончательной редакции: 16 января 2023 г.
Принята к печати: 16 января 2023 г.
Выставление онлайн: 2 марта 2023 г.
PDF версия
Влияние протонного облучения (энергия протонов 15 МэВ) на параметры высоковольтных 4H-SiC интегрированных (JBS) диодов Шоттки впервые исследовано в диапазоне рабочих температур Ti (23 и 175oС). Блокирующее напряжение исследованных диодов, Ub составляло 600 и 1700 В. Для приборов c U_b=600 В диапазон флюенсов Phi составлял 5·1013-1·1014 см-2; для приборов c U_b=1700 В величина Phi составила и 3·1013-6·1013 см-2. Увеличение температуры облучения приводит к заметному уменьшению влияния облучения на вольт-амперные характеристики диодов. Исследовано влияние отжига на вольт-амперные характеристики облученных приборов. Ключевые слова: карбид кремния, диоды Шоттки, протонное облучение, отжиг, вольт-амперные характеристики.
  1. S. Nigam, J. Kim, F. Ren, G.Y. Chung, M.F. MacMillan, R. Dwivedi, T.N. Fogarty, R. Wilkins, K.K. Allums, C.R. Abernathy, S.J. Pearton, J.R. Williams. Appl. Phys. Lett., 81, 2385 (2002)
  2. Zh. Luo, T. Chen, J.D. Cressler, D.C. Sheridan, J.R. Williams, R.A. Reed, P.W. Marshall. IEEE Trans. Nucl. Sci., 50 (6), 1821 (2003)
  3. A. Castaldini, A. Cavallini, L. Rigutti. J. Appl. Phys., 98, 053706 (2005)
  4. V.V. Kozlovski, A.A. Lebedev, M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev, J.W. Palmour. J. Appl. Phys., 123, 024502 (2018)
  5. A.A. Lebedev, V.V. Kozlovski, M.E. Levinshtein, A.E. Ivanov, K.S. Davydovskaya. Solid-State Electron., 181--182, 08009 (2021)
  6. L. Zhao, Y. Tang, Yun Bai, M. Qiu, Zh. Wu, Yu Yang, C. Yang, X. Tian, X. Liu. Electronics, 11, 1341 (2022). https://doi.org/10.3390/electronics11091341
  7. https://datasheetspdf.com/datasheet/CPW3-0600S002
  8. https://datasheetspdf.com/datasheet/CPW3-1700S010
  9. Sh. Ji, Zh. Zhang, Fei Wang. CES Trans. Electric. Machines and Systems, 1, 254 (2017)
  10. L.F. Zakharenkov, V.V. Kozlovski, B.A. Shustrov. Phys. Status Solidi A, 117, 85 (1990)
  11. J.F. Ziegler, J.P. Biersack, U. Littmark. The Stopping and Range of Ions in Matter (Pergamon Press, N.Y., 1985)
  12. P. Hazdra, J. Vobecky. Phys. Status Solidi A, 216, 1900312 (2019)
  13. A.A. Lebedev, V.V. Kozlovski, K.S. Davydovskaya, M.E. Levinshtein. Materials, 14, 4976 (2021). https://doi.org/10.3390/ma14174976
  14. M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev, M.S. Shur (eds). Properties of Advanced Semiconductor Materials: GaN, AIN, InN, BN, SiC, SiGe (John Wiley \& Sons Inc. N.Y., 2001)
  15. V.V. Emtsev, A.M. Ivanov, V.V. Kozlovski, A.A. Lebedev, G.A. Oganesyan, N.B. Strokan, G. Wagner. ФТП, 46, 473 (2012)
  16. A.A. Lebedev, A.I. Veinger, D.V. Davydov, V.V. Kozlovski, N.S. Savkina, A.M. Strel'chuk. J. Appl. Phys., 88, 6262 (2000)
  17. А.А. Лебедев, В.В. Козловский, М.Е. Левинштейн, Д.А. Малевский, Г.А. Оганесян, А.М. Стрельчук, К.С. Давыдовская. ФТП, 56 (4), 441 (2022)
  18. V.V. Kozlovski, A.A. Lebedev, E.V. Bogdanova. J. Appl. Phys., 117, 155702 (2015)
  19. R. Karsthof, M.E. Bathen, A. Galeckas, L. Vines. Phys. Rev. B, 102, 18411 (2020). https://doi.org/10.1103/PhysRevB.102.184111

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme