Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2004, выпуск 3 » Статья стр. 374
<<<
Внутренние оптические потери в полупроводниковых лазерах
Пихтин Н.А.1, Слипченко С.О.1, Соколова З.Н.1, Тарасов И.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 21 июля 2003 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2004 г.
PDF версия
Исследованы внутренние оптические потери в мощных полупроводниковых лазерах на основе квантово-размерных гетероструктур раздельного ограничения. На основании расчетов показано, что основная доля внутренних оптических потерь приходится на активную область и эмиттеры. Увеличение толщины волновода и длины резонатора лазера приводят к снижению внутренних оптических потерь. Рассмотрены два подхода в конструировании лазерных гетероструктур, проведена оптимизация гетероструктур. Установлено, что различие внутренних оптических потерь в лазерах на подложках из фосфида индия и арсенида галлия связано с большим сечением рассеяния фотонов дырками в фосфиде индия. Показано хорошее согласие экспериментальных и расчетных значений величин внутренних оптических потерь в лазерах на подложках арсенида галлия и фосфида индия.
  1. Д.А. Лившиц, А.Ю. Егоров, И.В. Кочнев, В.А. Капитонов, В.М. Лантратов, Н.Н. Леденцов, Т.А. Налет, И.С. Тарасов. ФТП, 35, 380 (2001)
  2. П.В. Булаев, В.А. Капитонов, А.В. Лютецкий, А.А. Мармалюк, Д.Б. Никитин, Д.Н. Николаев, А.А. Падалица, Н.А. Пихтин, А.Д. Бондарев, И.Д. Залевский, И.С. Тарасов. ФТП, 36, 1144 (2002)
  3. Г.В. Скрынников, Г.Г. Зегря, Н.А. Пихтин, С.О. Слипченко, В.В. Шамахов, И.С. Тарасов. ФТП, 37, 243 (2003)
  4. Е.Г. Голикова, В.А. Курешов, А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, Н.А. Пихтин, Ю.А. Рябоштан, Г.В. Скрынников, И.С. Тарасов, Ж.И. Алферов. ФТП, 34, 886 (2000)
  5. С.О. Слипченко, А.В. Лютецкий, Н.А. Пихтин, Н.В. Фетисова, А.Ю. Лешко, Ю.А. Рябоштан, Е.Г. Голикова, И.С. Тарасов. Письма ЖТФ, 29, 65 (2003)
  6. D.A. Livshits, I.V. Kochnev, V.M. Lantratov, N.N. Ledentsov, T.A. Nalyot, I.S. Tarasov, Zh.I. Alferov. Electron. Lett., 36, 1848 (2000)
  7. Е.Г. Голикова, В.А. Курешов, А.Ю. Лешко, Д.А. Лившиц, А.В. Лютецкий, Д.Н. Николаев, Н.А. Пихтин, Ю.А. Рябоштан, С.О. Слипченко, И.С. Тарасов, Н.В. Фетисова. Письма ЖТФ, 26, 40 (2000)
  8. В.П. Евтихиев, Д.З. Гарбузов, З.Н. Соколова, И.С. Тарасов, В.Б. Халфин, В.П. Чалый, А.В. Чудинов. ФТП, 19, 1420 (1985)
  9. M.R. Gokhale, J.C. Dries, P.V. Studenkov, S.R. Forrest, D.Z. Garbuzov. IEEE J. Quant. Electron., QE-33, 2266 (1997)
  10. Д.З. Гарбузов, С.В. Зайцев, Ю.В. Ильин, Т.А. Налет, А.В. Овчинников, И.С. Тарасов. Письма ЖТФ, 16, 50 (1990)
  11. Д.З. Гарбузов, А.В. Овчинников, Н.А. Пихтин, З.Н. Соколова, И.С. Тарасов, В.Б. Халфин. ФТП, 25, 928 (1991)
  12. К. Зеегер. Физика полупроводников (М., Мир, 1977)
  13. В.И. Фистуль. Введение в физику полупроводников (М., 1975)
  14. Х. Кейси, М. Паниш. Лазеры на гетеропереходах (М., Мир, 1981) т. 1
  15. S. Adachi. Physical Properties of III--V Semiconductor Compounds (John Wiley \& Sons Inc., 1992)
  16. R.F. Nabiev, E.C. Vail, C.J. Chang-Hasnain. Selected Topics in Quant. Electron., 1, 234 (1995)
  17. Н.А. Пихтин, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, И.С. Тарасов. ФТП, 36, 365 (2002)
  18. Д.А. Винокуров, В.А. Капитонов, Д.Н. Николаев, А.Л. Станкевич, А.В. Лютецкий, Н.А. Пихтин, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, Н.В. Фетисова, И.Н. Арсентьева, И.С. Тарасов. ФТП, 35, 1380 (2001)
  19. Е.Г. Голикова, В.А. Горбылев, Н.Ю. Давидюк, В.А. Курешов, А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, Н.А. Пихтин, Ю.А. Рябоштан, В.А. Симаков, И.С. Тарасов, Н.В. Фетисова. Письма ЖТФ, 26, 5 (2000)
  20. А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, Н.А. Пихтин, Г.В. Скрынников, З.Н. Соколова, И.С. Тарасов, Н.В. Фетисова. ФТП, 34, 1457 (2000)
  21. L.V. Asryan, N.A. Gunko, A.S. Polkovnikov, G.G. Zegrya, R.A. Suris, P.K. Lau, T. Makino. Semicond. Sci. Technol., 15, 1131 (2000)
  22. G.T. Liu, A. Stinz, H. Li, T.C. Newell, A.L. Gray, P.M. Varangis, K.J. Malloy, L.F. Lester. IEEE J. Quant. Electron, QE-36, 1272 (2000)
  23. G. Park, O.B. Shchekin, D.L. Huffaker, D.G. Deppe. IEEE Phot. Techn. Lett., 13, 230 (2000)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme