Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Закономерности влияния примесей на предел текучести кристаллов кремния

Петухов Б.В.¹

¹Институт кристаллографии Российской академии наук, Москва, Россия

Поступила в редакцию: 25 июня 2003 г.

Выставление онлайн: 19 марта 2004 г.

PDF версия

Предложена теоретическая модель, объясняющая влияние подвижных нейтральных примесей на закономерности деформации полупроводниковых кристаллов эффектом динамического старения дислокаций. Рассчитана зависимость верхнего предела текучести от концентрации примесных атомов, скорости деформирования и других параметров. Произведено качественное сопоставление с экспериментальными данными для кремния.

K. Sumino. In: Defects and Properties of Semiconductors: Defect Engineering, ed. by J. Chikawa, K. Sumino and K. Wada. (KTK Scientific Publishers, Tokyo, 1987) p. 227
М.Г. Мильвидский, В.В. Освенский. Структурные дефекты в монокристаллах полупроводников (М., Металлургия, 1984)
H. Alexander, P. Haasen. Sol. St. Phys., 22, 27 (1968)
H. Alexander. In: Dislocations in solids, ed. by F.R.N. Nabarro (Amsterdam--Oxford--N. Y.--Tokyo, North-Holland, 1986) v. 7, ch. 35, p. 113
D. Maroudas, R.A. Brown. J. Mater. Res., 6, 2337 (1991)
Б.В. Петухов. ФТП, 36, 129 (2002)
K. Sumino, H. Harada, I. Yonenaga. Jap. J. Appl. Phys., 19, L49 (1980)
K. Sumino, I. Ionenaga, M. Imai, T. Abe. J. Appl. Phys., 54, 5016 (1983)
I. Yonenaga, K. Sumino. J. Appl. Phys., 56, 2346 (1984)
J. Rabier, A. George. Rev. Phys. Appl., 22, 1327 (1987)
V. Orlov, H. Richter, A. Fischer, J. Reif, T. Muller, R. Wahlich. Mater. Sci. in Semicond. Processing, 5, 403 (2003)
M. Imai, K. Sumino. Phil. Mag. A, 47, 599 (1983)
В.И. Никитенко. В кн.: Динамика дислокаций (Киев, Наук. думка, 1975) с. 7
A. George, J. Rabier. Rev. Phys. Appl., 22, 941 (1987)
Б.В. Петухов. Кристаллография, 46, 909 (2001)
J.R. Patel. Discussions Faraday Soc., 38, 201 (1964)
Y. Estrin, L.P. Kubin. In: Continuum Models for Materials with Micro-Structure, ed. by H.-B. Mulhaus (N. Y., Wiley \& Sons, Ltd., 1995) p. 395
J.P. Hirth, J. Lothe. Theory of Dislocations, 2nd edn. (Wiley-Interscience, N. Y., 1982) [Рус. пер. 1-го изд.: Д. Хирт, И. Лоте. Теория дислокаций (М., Атомиздат, 1972)]
Б.В. Петухов. ЖТФ, 60, 64 (1990)
Б.В. Петухов. ЖТФ, 73, 82 (2003)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель