Вышедшие номера
Модель фотоотжига собственных дефектов гексагональных квантовых точек CdSxSe1-x
Кунец В.П.1, Кулиш Н.Р.1, Лисица М.П.1, Брыкса В.П.1
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 21 августа 2003 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2004 г.

На основе исследований кинетики фотоиндуцированного затухания люминесценции квантовых точек CdSxSe1-x, синтезированных в стеклянной матрице, и расчетов ab initio энергий химических связей на границе раздела фаз в кластере типа n(CdSe)-SiOx обоснован возможный механизм фотоотжига собственных дефектов квантовых точек с гексагональной структурой кристаллической решетки. Модель состоит в том, что индуцируемый светом разрыв связей Se-O со стороны анионной грани ведет к увеличению напряженности электрического поля внутри квантовой точки, под действием которого вакансии кадмия дифундируют к поверхности. Такая модель позволяет объяснить наблюдаемые при фотоотжиге эффекты деградации люминесценции и параметров нелинейных оптических устройств на их основе.