Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Электрические свойства мелкозернистых поликристаллов CdTe

Колосов С.А.¹, Клевков Ю.В.¹, Плотников А.Ф.¹

¹Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия Lebedev Physical Institute, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Lebedev Physical Institute, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Поступила в редакцию: 7 июля 2003 г.

Выставление онлайн: 19 марта 2004 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы температурные зависимости проводимости, фотопроводимости и подвижности дырок в мелкозернистых поликристаллах CdTe. Результаты хорошо согласуются с представлениями о заряженных межзеренных границах. Определены величины межзеренных потенциальных барьеров и характер их влияния на подвижности свободных носителей зарядов.

A. Balciogln, R.K. Ahrenkiel, F. Hasoon. J. Appl. Phys., 88, 7175 (2000)
Tadayuki Takahashi, Shin Watanabe. IEEE Trans. Nucl. Sci., 48, 950 (2001)
A. Zumbiehl, M. Hage-Ali, M. Agoub, R. Regal, J.M. Koebel, P. Siffert. IEEE Trans. Nucl. Sci., 49, 1254 (2002)
J.Y.W. Seto. J. Appl. Phys., 46, 5247 (1975)
G. Baccarani, B. Ricco. J. Appl. Phys., 49, 5565 (1978)
С.А. Колосов, Ю.В. Клевков, А.Ф. Плотников. ФТП, 38, (2004)
С.А. Медведев, Ю.В. Клевков. Патент РФ N 243014 от 20.12.1999 г
L. Gildart, A.W. Ewald. Phys. Rev., 83, 359 (1951)
К. Зеегер. Физика полупроводников (М., Мир, 1977) гл. 3. [Пер. с англ.: K. Seeger. Semiconductor Physics (Springer Verlag, Wien-N. Y., 1973)]
Ю.В. Клевков, С.А. Колосов, С.А. Медведев, А.Ф. Плотников. ФТП, 35, 1192 (2001)
С.А. Медведев, Ю.В. Клевков, С.А. Колосов, В.С. Кривобок, А.Ф. Плотников. ФТП, 36, 937 (2002)
A.L. Fripp. J. Appl. Phys., 46, 1240 (1975)
Y.W. Seto. J. Elrctrochem. Soc., 122, 701 (1975)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель