Молекулярно-лучевая эпитаксия твердого раствора GaPxAs1-x: феноменологическое описание зависимости x от условий роста на подложке GaAs(001)
Путято М.А.
1, Емельянов Е.А.
1, Петрушков М.О.
1, Васев А.В.
1, Cемягин Б.Р.
1, Преображенский В.В.
11Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Email: puma@isp.nsc.ru, e2a@isp.nsc.ru, maikdi@isp.nsc.ru, vasev@isp.nsc.ru, sbr@isp.nsc.ru, pvv@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 14 октября 2022 г.
В окончательной редакции: 31 января 2023 г.
Принята к печати: 23 февраля 2023 г.
Выставление онлайн: 31 марта 2023 г.
С применением феноменологической модели описаны экспериментальные зависимости доли фосфора в твердом растворе GaPxAs1-x от условий его выращивания методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках GaAs(001) из потоков молекул As2 и P2. Модель построена на основе устоявшихся представлений о процессе молекулярно-лучевой эпитаксии соединений AIIIBV. Отношение коэффициентов встраивания атомов мышьяка и фосфора рассматривалось как функция температуры подложки, плотности потоков молекул V группы и атомов Ga. Найдены эмпирические выражения, описывающие поведение отношения коэффициентов встраивания мышьяка и фосфора в зависимости от указанных параметров роста. Выражения позволяют оценивать величины потоков молекул V группы, обеспечивающие получение слоев GaPxAs1-x c требуемым x при заданных значениях температуры подложки и плотности потока атомов Ga. Ключевые слова: молекулярно-лучевая эпитаксия, AIIIBV, твердые растворы, GaPxAs1-x, феноменологическая модель.
- I. Vurgaftmana, J.R. Meyer, L.R. Ram-Mohan. J. Appl. Phys., 89 (11), 5815 (2001)
- T. Nishitani, T. Nakanishi, M. Yamamoto, S. Okumi, F. Furuta, M. Miyamoto, M. Kuwahara, N. Yamamoto, K. Naniwa. J. Appl. Phys., 97, 094907 (2005)
- M. Naganuma, K. Takahashi. Phys. Status Solidi A, 31, 187 (1975)
- K. Tateishi, M. Naganuma, K. Takahashi. Jpn. J. Appl. Phys., 15 (5), 785 (1976)
- Y. Tatsuoka, H. Kamimoto, Y. Kitano, T. Kitada, S. Shimomura, S. Hiyamizu. J. Vac. Sci. Technol. B, 17 (3), 1155 (1999)
- Y. Tatsuoka, H. Kamimoto, T. Kitada, S. Shimomura, S. Hiyamizu. J. Vac. Sci. Technol. B, 18 (3), 1549 (2000)
- Y. Tatsuoka, M. Uemura, T. Kitada, S. Shimomura, S. Hiyamizu. J. Cryst. Growth, 227--228, 266 (2001)
- H.Q. Hou, B.W. Liang, T.P. Chin, C.W. Tu. Appl. Phys. Lett., 59 (3), 292 (1991)
- T.P. Chin, B.W. Liang, H.Q. Hou, M.C. Ho, C.E. Chang, C.W. Tu. Appl. Phys. Lett., 58 (3), 254 (1991)
- H.Q. Hou, C.W. Tu. Appl. Phys. Lett., 60, 1872 (1992)
- S. Gonda, Y. Matsushima. Jpn. J. Appl. Phys., 47 (9), 4198 (1976)
- C.T. Foxon, B.A. Joyce, M.T. Norris. J. Gryst. Growth, 49, 132 (1980)
- B.W. Liang, C.W. Tu. J. Appl. Phys., 74 (1), 255 (1993)
- Е.А. Емельянов, М.А. Путято, Б.Р. Семягин, Д.Ф. Феклин, В.В. Преображенский. ФТП, 49 (2), 163 (2015)
- J.J. Harris, B.A. Joyce, P.J. Dobson. Surf. Sci., 103, 90 (1981)
- C.E.C. Wood. Surf. Sci., 108, 441 (1981)
- В.В. Преображенский, В.П. Мигаль, Д.И. Лубышев. Поверхность. Физика, химия, механика, 9, 156 (1989)
- В.В. Преображенский, М.А. Путято, Б.Р. Семягин. ФТП, 36 (8), 897 (2002)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
