Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Молекулярно-лучевая эпитаксия твердого раствора GaPxAs1-x: феноменологическое описание зависимости x от условий роста на подложке GaAs(001)
Переводная версия: 10.21883/SC.2023.02.55949.4225 
Путято М.А.
1, Емельянов Е.А.
1, Петрушков М.О.
1, Васев А.В.
1, Cемягин Б.Р.
1, Преображенский В.В.
1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия 
Email: puma@isp.nsc.ru, e2a@isp.nsc.ru, maikdi@isp.nsc.ru, vasev@isp.nsc.ru, sbr@isp.nsc.ru, pvv@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 14 октября 2022 г.
В окончательной редакции: 31 января 2023 г.
Принята к печати: 23 февраля 2023 г.
Выставление онлайн: 31 марта 2023 г.
С применением феноменологической модели описаны экспериментальные зависимости доли фосфора в твердом растворе GaPxAs1-x от условий его выращивания методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках GaAs(001) из потоков молекул As2 и P2. Модель построена на основе устоявшихся представлений о процессе молекулярно-лучевой эпитаксии соединений AIIIBV. Отношение коэффициентов встраивания атомов мышьяка и фосфора рассматривалось как функция температуры подложки, плотности потоков молекул V группы и атомов Ga. Найдены эмпирические выражения, описывающие поведение отношения коэффициентов встраивания мышьяка и фосфора в зависимости от указанных параметров роста. Выражения позволяют оценивать величины потоков молекул V группы, обеспечивающие получение слоев GaPxAs1-x c требуемым x при заданных значениях температуры подложки и плотности потока атомов Ga. Ключевые слова: молекулярно-лучевая эпитаксия, AIIIBV, твердые растворы, GaPxAs1-x, феноменологическая модель.
- I. Vurgaftmana, J.R. Meyer, L.R. Ram-Mohan. J. Appl. Phys., 89 (11), 5815 (2001)
- T. Nishitani, T. Nakanishi, M. Yamamoto, S. Okumi, F. Furuta, M. Miyamoto, M. Kuwahara, N. Yamamoto, K. Naniwa. J. Appl. Phys., 97, 094907 (2005)
- M. Naganuma, K. Takahashi. Phys. Status Solidi A, 31, 187 (1975)
- K. Tateishi, M. Naganuma, K. Takahashi. Jpn. J. Appl. Phys., 15 (5), 785 (1976)
- Y. Tatsuoka, H. Kamimoto, Y. Kitano, T. Kitada, S. Shimomura, S. Hiyamizu. J. Vac. Sci. Technol. B, 17 (3), 1155 (1999)
- Y. Tatsuoka, H. Kamimoto, T. Kitada, S. Shimomura, S. Hiyamizu. J. Vac. Sci. Technol. B, 18 (3), 1549 (2000)
- Y. Tatsuoka, M. Uemura, T. Kitada, S. Shimomura, S. Hiyamizu. J. Cryst. Growth, 227--228, 266 (2001)
- H.Q. Hou, B.W. Liang, T.P. Chin, C.W. Tu. Appl. Phys. Lett., 59 (3), 292 (1991)
- T.P. Chin, B.W. Liang, H.Q. Hou, M.C. Ho, C.E. Chang, C.W. Tu. Appl. Phys. Lett., 58 (3), 254 (1991)
- H.Q. Hou, C.W. Tu. Appl. Phys. Lett., 60, 1872 (1992)
- S. Gonda, Y. Matsushima. Jpn. J. Appl. Phys., 47 (9), 4198 (1976)
- C.T. Foxon, B.A. Joyce, M.T. Norris. J. Gryst. Growth, 49, 132 (1980)
- B.W. Liang, C.W. Tu. J. Appl. Phys., 74 (1), 255 (1993)
- Е.А. Емельянов, М.А. Путято, Б.Р. Семягин, Д.Ф. Феклин, В.В. Преображенский. ФТП, 49 (2), 163 (2015)
- J.J. Harris, B.A. Joyce, P.J. Dobson. Surf. Sci., 103, 90 (1981)
- C.E.C. Wood. Surf. Sci., 108, 441 (1981)
- В.В. Преображенский, В.П. Мигаль, Д.И. Лубышев. Поверхность. Физика, химия, механика, 9, 156 (1989)
- В.В. Преображенский, М.А. Путято, Б.Р. Семягин. ФТП, 36 (8), 897 (2002)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
