Вышедшие номера
Осцилляции Шубникова-де Гааза в двумерном электронном газе с анизотропной подвижностью
Russian Foundation of Basic Research, 20-02-00309
Номоконов Д.В.1, Бакаров А.К.1, Быков А.А.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Email: nomokonov@isp.nsc.ru, bykov@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 16 декабря 2022 г.
В окончательной редакции: 22 февраля 2023 г.
Принята к печати: 2 марта 2023 г.
Выставление онлайн: 31 марта 2023 г.

Исследованы осцилляции Шубникова-де Гааза в селективно-легированных одиночных GaAs-квантовых ямах со сверхрешеточными барьерами AlAs/GaAs при температуре T=4.2 K в магнитных полях B<1 Тл. В изучаемых высокоподвижных гетероструктурах с тонким спейсером, выращенных при помощи молекулярно-лучевой эпитаксии на (001) GaAs-подложках, подвижности двумерного электронного газа в кристаллографических направлениях [110] и [=110] отличаются более чем на 50%. Для корректного анализа осцилляций Шубникова-де Гааза в образцах с анизотропной подвижностью используется адаптированное для этих целей выражение для амплитуды этих осцилляций. Установлено, что квантовые времена жизни в таких гетероструктурах, измеренные при помощи осцилляций Шубникова-де Гааза на мостиках Холла, ориентированных вдоль направлений [110] и [=110], отличаются не более чем на 5%. Полученные результаты показывают, что квантовое время жизни в двумерной электронной системе с анизотропной подвижностью является изотропным с указанной точностью. Ключевые слова: осцилляции Шубникова-де Гааза, анизотропная подвижность, квантовое время жизни, сверхрешеточные барьеры.