Долговременные релаксации проводимости квазидвумерных сильно разупорядоченных МДП структур
Давыдов А.Б.1, Аронзон Б.А.1
1РНЦ "Курчатовский институт", Институт молекулярной физики, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 20 октября 2003 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2004 г.
Изучена долговременная релаксация двумерной проводимости структур металл-нитрид-оксид-полупроводник при различных способах выведения системы из состояния равновесия. Показано, что долговременные релаксации проявляются только при наличии сильного флуктуационного потенциала, величиной которого в данных структурах можно управлять. Основной процесс, определяющий поведение проводимости в системе, - экранирование потенциала электронами канала, как свободными, так и локализованными в ямах потенциального рельефа. Временная зависимость проводимости имеет логарифмический вид, что характерно для систем типа "электронное стекло".
- S.D. Baranovskii, B.L. Gelmont, B.I. Shklovskii, A.L. Efros. J. Phys. C, 12, 1023 (1979)
- D. Menashe, O. Biham, B.D. Laikhtman, A.L. Efros. Phys. Rev. B, 64, 115 209 (2001)
- M. Ben-Chorin, Z. Ovadyahu, M. Pollak. Phys. Rev. B, 48, 15 025 (1993)
- A. Vaknin, Z. Ovadyahu, M. Pollak. Phys. Rev. B, 65, 134 208 (2002)
- S. Bogdanovich, D. Popovic. Physica E, 12, 604 (2002)
- С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984)
- Б.А. Аронзон, Д.А. Бакаушин, А.С. Веденеев, Е.З. Мейлихов, В.В. Рыльков. Письма ЖЭТФ, 66, 633 (1997)
- Б.А. Аронзон, Д.А. Бакаушин, А.С. Веденеев, А.Б. Давыдов, Е.З. Мейлихов, Н.К. Чумаков. ФТП, 35, 448 (2001)
- M. Buttiker. Phys. Rev. B, 41, 7906 (1990)
- В.А. Гергель, Р.А. Сурис. ЖЭТФ, 84, 719 (1983)
- Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979); И.П. Звягин. Кинетические явления в неупорядоченных полупроводниках (М., Изд-во МГУ, 1984)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук