Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Cтимулирование металлургических реакций на интерфейсе Ni--SiC протонным облучением
1Cанкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 17 декабря 2003 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2004 г.
Показано, что облучение структур Ni-SiC протонами при повышенных температурах способствует ускорению металлургических реакций на интерфейсе Ni-SiC за счет диффузионного механизма, стимулированного радиационным дефектообразованием. Наибольший эффект "перемешивания" интерфейса металл-полупроводник достигается при совпадении толщины пленки металла с величиной проецированного пробега протонов.
- Thin films-interdiffusion and reactions, ed. by J.M. Poate, K.N. Tu, J.W. Mayer (John Wiley\&Sons, N. Y., 1978). [ Тонкие пленки. Взаимная диффузия и реакция, пер. под ред. В.Ф. Киселева, В.В. Поспелова (М., Мир, 1982)]
- K. Robbie, S.T. Jemander, N. Lin, C. Hallin, R. Erlandsson, G.V. Hansson, L.D. Madsen. Proc. of the ICSCRM-1999 (Research Triangle Park, North Carolina, USA, 1999). [Mater. Sci. Forum, 338--342, 981 (2000)]
- T. Nakamura, H. Shimada, M. Satoh. Proc. of the ICSCRM-1999 (Research Triangle Park, North Carolina, USA, 1999). [Mater. Sci. Forum, 338--342, 985 (2000)]
- T. Toda, Y. Ueda, M. Sawada. Proc. of the ICSCRM-1999 (Research Triangle Park, North Carolina, USA, 1999). [Mater. Sci. Forum, 338--342, 989 (2000)]
- R. Kelly, J.B. Sanders. Surf. Sci., 57, 143 (1976)
- K.B. Winterborn. Rad. Eff., 49, 97 (1980)
- J.W. Mayer, B.Y. Tsaur, S.S. Lau, L.S. Hung. Nucl. Instrum. Meth., 182/183, 1 (1981)
- D.B. Poker, B.R. Appleton, J. Appl. Phys. 57, 1414 (1985)
- D.K. Sarkar, S. Dhara, K.G.M. Nair, S. Chaudhury. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Rev. B, 161, 992 (2002)
- Surface modification and alloying by laser, ion and electron beams, ed. by J.M. Poate, G. Foti and D.C. Jacobson (N. Y., Plenum Press, 1983)
- Ion Beam Modification of Materials, ed. by J.S. Williams, R.G. Elliman and M.C. Ridgway (North--Holland, 1996)
- В.В. Козловский, В.Н. Ломасов. Поверхность. Физика, химия, механика, 3, 146 (1987)
- В.В. Козловский, В.А. Козлов, В.Н. Ломасов. ФТП, 34, 129 (2000)
- В.В. Козловский. Модифицирование полупроводников пучками протонов (СПб., Наука, 2003)
- L. Calcagno, E. Zanetti, F. La Via, F. Roccaforte, V. Raineri, S. Libertino, F. Giannazzo, M. Mauceri, P. Musumeci. Mater. Sci. Forum, 433--436, 721 (2003)
- J.J. Bellina, M.V. Zeller. In: Novel Refractory Semiconductors, ed. by D. Emin, T.L. Aselage and C. Wood (Mater. Res. Soc., Pittsburg, PA, 1987) p. 265
- H.H. Andersen, J.F. Ziegler. Hydrogen stopping powers and ranges in all elements (Pergamon Press, N. Y., 1977)
- А.Ф. Буренков, Ф.Ф. Комаров, М.А. Кумахов, М.М. Темкин. Пространственные распределения энергии, выделенной в каскаде столкновений в твердых телах (М., Энергоатомиздат, 1985)
- J.P. Biersack, L.G. Haggmark. Nucl. Instrum. Meth., 174, 257 (1980)
- M.J. Morschbacher, M. Behar. J. Appl. Phys., 91 (10), 6481 (2002)
- Y. Morikawa, K. Yamamoto, K. Nagami. Appl. Phys. Lett., 36, 997 (1980)
- Р.Ш. Малкович. Математика диффузии в полупроводниках (СПб., Наука, 1999)
- E.W. Maby. J. Appl. Phys., 47, 830 (1976)
- M.G. Rastegaeva, A.N. Andreev, A.I. Babanin. Abstracts 2nd Int. Seminar on Semiconductor SiC and Related Materials (Novgorod, Russia, 1977) p. 38
- A.N. Andreev, M.G. Rastegaeva, A.I. Babanin, N.S. Savkina. Abstracts 2nd Int. Seminar on Semiconductor SiC and Related Materials (Novgorod, Russia, 1977) p. 36
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
