Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Особенности структуры поверхности и поверхностного электронного транспорта в коррелированном топологическом изоляторе SmB₆

DOI: 10.21883/FTP.2023.04.55891.02k

Переводная версия: 10.61011/SC.2023.04.56418.02k

Russian Science Foundation , https://rscf.ru/project/22-22-00990, 22-22-00990

Артёмов Е.А.^1,2, Мантузов А.В. ^1,2, Журкин В.С.¹, Божко А.Д. ¹, Кудрявцев О.С. ¹, Андрюшечкин Б.В. ¹, Шевлюга В.М. ¹, Шицевалова Н.Ю.³, Филипов В.Б.³, Глушков В.В. ¹

¹Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, Москва, Россия Prokhorov General Physics Institute of the Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Prokhorov General Physics Institute of the Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

²ООО АЕМ Технолоджис", Москва, Россия AEM Technologies LLC, Moscow, Russia

³Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Киев, Украина Frantsevich Institute for Problems of Materials Science, National Academy of Sciences of Ukraine, Kiev, Ukraine

Frantsevich Institute for Problems of Materials Science, National Academy of Sciences of Ukraine, Kiev, Ukraine

Email: artpoliofan@mail.ru, antoniovm@mail.ru, dok5555@mail.ru, bozhko@lt.gpi.ru, leolegk@gmail.com, andrush@kapella.gpi.ru, shevlyg@kapella.gpi.ru, nshitsevalova@gmail.com, glushkov@lt.gpi.ru

Поступила в редакцию: 5 мая 2023 г.

В окончательной редакции: 29 июня 2023 г.

Принята к печати: 6 июля 2023 г.

Выставление онлайн: 14 июля 2023 г.

PDF версия

Разработан метод химико-механического полирования поверхности монокристаллов гексаборида самария SmB₆ композициями на базе аморфных частиц кремнезема нанометрового размера. Показано, что метод химико-механического полирования позволяет достичь шероховатости поверхности монокристаллов SmB₆ для бездефектного участка со среднеквадратичным отклонением профиля, не превышающим 0.8 нм. Обсуждается влияние метода химико-механического полирования на структурные и электронные свойства поверхностей (100) и (110) монокристаллических образцов SmB₆. Ключевые слова: гексаборид самария, химико-механическое полирование, поверхностная проводимость, топологический изолятор. DOI: 10.21883/FTP.2023.04.55891.02k

M.V.A. Crivillero, M. Konig, J.C. Souza, P.G. Pagliuso, J. Sichelschmidt, P.F.S. Rosa, Z. Fisk, S. Wirth. Phys. Rev. Res., 3, 023162 (2021)
S.V. Demishev, M.I. Gilmanov, A.N. Samarin, A.V. Semeno, N.E. Sluchanko, N.A. Samarin, A.V. Bogach, N.Yu. Shitsevalova, V.B. Filipov, M.S. Karasev, V.V. Glushkov. Sci. Rep., 8, 7125 (2018)
В.В. Глушков, В.С. Журкин, А.Д. Божко, О.С. Кудрявцев, Б.В. Андрюшечкин, Н.С. Комаров, В.В. Воронов, Н.Ю. Шицевалова, В.Б. Филипов. Письма в ЖЭТФ, 116, 770 (2022)
M. Ellguth, C. Tusche, F. Iga, S. Suga. Phil.Mag., 96, 3284 (2016)
L. Feng, W.G. Fahrenholtz, G.E. Hilmas, Y.S. Hor. J. Am. Ceram. Soc., 102, 1379 (2019)
S. Wolgast, Y.S. Eo, T. Ozturk, G. Li, Z. Xiang, C. Tinsman, T. Asaba, B. Lawson, F. Yu, J.W. Allen, K. Sun, L. Li, C. Kurdak, D.-J. Kim, Z. Fisk. Phys. Rev. B, 92, 115110 (2015)
А.В. Ковалев, В.Ф. Ткаченко, А.А. Таран, Ю.Б. Падерно, В.Н. Падерно. Неорг. матер., 25, 968 (1989)
А.С. Артёмов. Росс. нанотехнологии, 6 (7-8), 54 (2011)
В.Ф. Гантмахер. Электроны в неупорядоченных средах (М., Физматлит, 2013) гл.6, с.133
M.M. Parish, P.B. Littlewood. Nature, 426, 162 (2003)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель