Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Переход между законами Мотта и Аррениуса в температурных зависимостях сопротивлений сильно легированных бором дельта-слоев в искусственном алмазе

DOI: 10.21883/FTP.2023.04.55895.10k

Переводная версия: 10.61011/SC.2023.04.56422.10k

Кукушкин В.А.^1,2, Лобаев М.А.¹, Вихарев А.Л.¹, Горбачев А.М.^1,2, Радищев Д.Б.¹, Архипова Е.А.¹, Дроздов М.Н.¹, Кукушкин Ю.В.², Исаев В.А.¹, Богданов С.А.¹

¹Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия Institute of Applied Physics, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Institute of Applied Physics, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

²Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия Lobachevsky University of Nizhny Novgorod, Nizhny Novgorod, Russia

Lobachevsky University of Nizhny Novgorod, Nizhny Novgorod, Russia

Email: vakuk@ipfran.ru

Поступила в редакцию: 5 мая 2023 г.

В окончательной редакции: 19 июня 2023 г.

Принята к печати: 20 июня 2023 г.

Выставление онлайн: 14 июля 2023 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Экспериментальные температурные зависимости сопротивлений, близких к порогу фазового перехода в состояние с металлической проводимостью тонких (1-3 нм) сильно легированных бором delta-слоев в химически осажденном из газовой фазы алмазе в широком диапазоне температур от ~100 до ~500 K, можно описать двумерным законом Мотта ("перескоки" дырок между локализованными состояниями с зависящей от температуры средней длиной "прыжка") в области низких температур и законом Аррениуса ("перескоки" дырок между ближайшими локализованными состояниями) в области высоких температур. Переход между ними происходит при 230-300 K. Потенциалы локализованных состояний дырок - дальнодействующие, например кулоновские, а статические диэлектрические проницаемости delta-слоев в несколько раз больше, чем у нелегированного химически осажденного из газовой фазы алмаза. Ключевые слова: CVD-алмаз, закон Аррениуса, закон Мотта, легированные delta-слои, "прыжковая" проводимость, фазовый переход изолятор-металл. DOI: 10.21883/FTP.2023.04.55895.10k

A. Fiori, T.N. Tran Thi, G. Chicot, F. Jomard, F. Omne's, E. Gheeraert, E. Bustarret. Diamond Relat. Mater., 24, 175 (2012)
D. Araujo, M.P. Alegre, J.C. Pinero, A. Fiori, E. Bustarret, F. Jomard. Appl. Phys. Lett., 103, 042104 (2013)
A. Fiori, F. Jomard, T. Teraji, S. Koizumi, J. Isoya, E. Gheeraert, E. Bustarret. Appl. Phys. Express, 6, 045801 (2013)
A. Fiori, F. Jomard, T. Teraji, G. Chicot, E. Bustarret. Thin Sol. Films, 557, 222 (2014)
P.N. Volpe, N. Tranchant, J.C. Arnault, S. Saada, F. Jomard, P. Bergonzo. Phys. Status Solidi RRL, 6, 59 (2012)
H. Shiomi, Y. Nishibayashi, N. Toda, S. Shikata. IEEE Electron Dev. Lett., 16, 36 (1995).
J.E. Butler, A. Vikharev, A. Gorbachev, M. Lobaev, A. Muchnikov, D. Radischev, V. Isaev, V. Chernov, S. Bogdanov, M. Drozdov, E. Demidov, E. Surovegina, V. Shashkin, A. Davidov, H. Tan, L. Meshi, A.C. Pakpour-Tabrizi, M.-L. Hicks, R.B. Jackman. Phys. Status Solidi RRL, 11, 1600329 (2017)
M.A. Lobaev, A.L. Vikharev, A.M. Gorbachev, D.B. Radishev, E.A. Arkhipova, M.N. Drozdov, V.A. Isaev, S.A. Bogdanov, V.A. Kukushkin. Nanosystems: Physics, Chemistry, Mathematics, 13, 578 (2022)
A. Aleksov, A. Vescan, M. Kunze, P. Gluche, W. Ebert, E. Kohn, A. Bergmaier, G. Dollinger. Diamond Relat. Mater., 8, 941 (1999)
H. El-Hajj, A. Denisenko, A. Kaiser, R.S. Balmer, E. Kohn. Diamond Relat. Mater., 17, 1259 (2008)
G. Chicot, A. Fiori, P.N. Volpe, T.N. Tran Thi, J.C. Gerbedoen, J. Bousquet, M.P. Alegre, J.C. Pinero, D. Araujo, F. Jomard, A. Soltani, J.C. De Jaeger, J. Morse, J. Hartwig, N. Tranchant, C. Mer-Calfati, J.C. Arnault, J. Delahaye, T. Grenet, D. Eon, F. Omnes, J. Pernot, E. Bustarret. J. Appl. Phys., 116, 083702 (2014)
N.F. Mott. Metal--Insulator Transitions (London-N.Y., Taylor \& Francis, 1990)
Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979). [B.I. Shklovskii, A.L. Efros. Electronic Properties of Doped Semiconductors (N.Y., Springer, 1984)]
А.И. Ларкин, Д.Е. Хмельницкий. ЖЭТФ, 83 (3), 1140 (1982). [A.I. Larkin, D.E. Khmel'nitskii. Sov. Phys. JETP, 56 (3), 647 (1982).]
M. Willatzen, M. Cardona, N.E. Christensen. Phys. Rev. B, 50, 18054 (1994)
Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. Квантовая Механика. Нерелятивистская теория (М., Наука, 1989). [L.D. Landau, E.M. Lifshitz. Quantum Mechanics: Non-relativistic Theory (N.Y., Elsevier, 2010)]

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель