Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние процесса образования единичного кластера радиационных дефектов на переключение состояния транзисторной ячейки памяти

DOI: 10.21883/FTP.2023.04.55897.15k

Переводная версия: 10.61011/SC.2023.04.56424.15k

Забавичев И.Ю.

^1,2, Пузанов А.С.

^1,2, Оболенский С.В.

^1,2

¹Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

²Российский федеральный ядерный центр --- Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики, Саров, Нижегородская обл., Россия Federal State Unitary Enterprise "Russian Federal Nuclear Center - All-Russian Research Institute of Experimental Physics", Sarov, Nizhny Novgorod Region, Russia

Federal State Unitary Enterprise "Russian Federal Nuclear Center - All-Russian Research Institute of Experimental Physics", Sarov, Nizhny Novgorod Region, Russia

Email: zabavichev.rf@gmail.com

Поступила в редакцию: 5 мая 2023 г.

В окончательной редакции: 29 июня 2023 г.

Принята к печати: 6 июля 2023 г.

Выставление онлайн: 14 июля 2023 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследовано влияние образования единичного кластера радиационных дефектов на переключение состояния транзисторной ячейки памяти. Проведены оценки величины энергии ядерной частицы, способной сформировать кластер радиационных дефектов, вызывающий сбой и отказ работы современных кремниевых транзисторов с различными размерами рабочих областей. Рассчитаны сечения сбоев для шести- и восьмиэлементной транзисторной ячейки памяти для различных технологических процессов при воздействии потока нейтронов мгновенного спектра деления. Ключевые слова: транзисторная ячейка памяти, кластер радиационных дефектов, сечение сбоев. DOI: 10.21883/FTP.2023.04.55897.15k

S.W. Chang, P.W. Chou, W.C. Wu. IEEE J. Solid-State Circuits, 46 (2), 520 (2011)
К.О. Петросянц, И.А. Харитонов, Е.В. Орехов, Л.М. Самбурский, А.П. Ятманов, А.В. Воеводин. Сб. тр. 5-й Всеросс. науч.-техн. конф. "Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем --- 2012" (М., 2012)
P.E. Dodd, M.R. Shaneyfelt, J.R. Schwank, J.A. Felix. IEEE Trans. Nucl. Sci., 57 (4), 1747 (2010)
L. Atias, A. Teman, A. Fish. Proc. 28th Convention of Electrical and Electronics Engineers in Israel, 2014, p. 1
M. Sajid, N.G. Chechenin, F.S. Torres, U.A. Gulzari, M.U. Butt, Z. Ming, E.U. Khan. / Microelectron. Reliab., 78, 11 (2017)
J. Yuan, Y. Zhao, L. Wang, T.Li, C. Sui. J. Phys.: Conf. Ser., 1920, 012069 (2021)
T. Copetti, G.C. Medeiros, M. Taouil, S. Hamdioui, L.B. Poehis, T.R. Balen. J. Electron. Testing, 37, 383 (2021)
J.F. Ziegler, W.A. Lanford. Science, 206, 776 (1979)
C.S. Guenzer, E.A. Wolicki, R.G. Allas. IEEE Trans. Nucl. Sci., 26 (6), 5048 (1979)
А.С. Пузанов, C.В. Оболенский, М.М. Венедиктов, В.А. Козлов. ФТП, 53 (9), 1250 (2019)
И. Ю. Забавичев, А. С. Пузанов, С. В. Оболенский. ФТП, 56 (7), 637 (2022)
L. Chang, D.M. Fried, J. Hergenrother, J.W. Sleight, R.H. Dennard, R.K. Montoye, L. Sekaric, S.J. McNab, A.W. Topol, C.D. Adams. Proc. Symp. on VLSI Technology, 2005, p. 128
M. Ansari, H. Afzali-Kusha, B. Ebrahimi, Z. Navabi, A. A.-Kusha, M. Pedram. Integration, the VLSI J., 50, 91 (2015)
Е.А. Крамер-Агеев. Экспериментальные методы нейтронных исследований (М., Энергоиздат, 1990)
С.В. Оболенский, Е.В. Волкова, А.Б. Логинов, Б.А. Логинов, Е.А. Тарасова, А.С. Пузанов, С.А. Королев. Письма ЖТФ, 47 (5), 38 (2021)
А.С. Давыдов. Теория твердого тела (М., Наука, 1976)
И.Ю. Забавичев, А.А. Потехин, А.С. Пузанов, C.В. Оболенский, В.А. Козлов. ФТП, 51 (11), 1520 (2017)
В.Л. Винецкий, Г.А. Холодарь. Радиационная физика полупроводников (Киев, Наук. думка, 1979)
И.Ю. Забавичев. Сб. тр. XXVI науч. конф. по радиофизике (Н. Новгород, ННГУ, 2021)
S. Plimton. J. Comput. Phys., 117, 1 (1995)
D. Duffy, A. Rutherford. J. Phys.: Condens. Matter, 19, 016207 (2007)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель