Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2023, выпуск 4 » Статья стр. 301
<<<
Широкополосное излучение суперлюминесцентных диодов на основе многослойных структур с квантовыми яма-точками InGaAs/GaAs
DOI: 10.21883/FTP.2023.04.55902.5262
Переводная версия: 10.61011/SC.2023.04.56429.5262
Российский научный фонд № 23 72 00038, № 23 72 00038
Министерство науки и высшего образования РФ, 0791-2020-0002
Максимов М.В. 1, Шерняков Ю.М. 2, Корнышов Г.О. 1, Симчук О.И. 1, Гордеев Н.Ю. 2, Бекман А.А.2, Паюсов А.С. 2, Минтаиров С.А. 2, Калюжный Н.А. 2, Кулагина М.М.2, Жуков А.Е. 3
1Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики", Санкт-Петербург, Россия
Email: maximov.mikh@gmail.com, yuri.shernyakov@mail.ioffe.ru, supergrigoir@gmail.com, osmailbox@yahoo.com, nkt.grdv@gmail.com, spbgate21@gmail.com, plusov@mail.ioffe.ru, mintairov@gmail.com, nickk@mail.ioffe.ru, marina.kulagina@mail.ioffe.ru, zhukale@gmail.com
Поступила в редакцию: 26 мая 2023 г.
В окончательной редакции: 16 июня 2023 г.
Принята к печати: 23 июня 2023 г.
Выставление онлайн: 14 июля 2023 г.
PDF версия
Исследованы суперлюминесцентные диоды с активной областью на основе 5 и 7 слоев квантовых яма-точек InGaAs/GaAs. Для реализации широкого спектра излучения без значительных провалов максимумы излучения отдельных слоев квантовых яма-точек сдвинуты друг относительно друга на 15-35 нм. Центральная длина волны суперлюминесцентных диодов составила ~1 мкм, а ширина линии излучения на половине высоты - 92 и 103 нм для суперлюминесцентных диодов с 5 и 7 слоями квантовых яма-точек соответственно. Ключевые слова: квантовые яма-точки, широкополосный источник излучения, суперлюминесцентный диод. DOI: 10.21883/FTP.2023.04.55902.5262
  1. G.M. Hale, M.R. Querry. Appl. Opt., 12 (3), 555 (1973)
  2. Y. Yasuno, Y. Hong, S. Makita, M. Yamanari, M. Akiba, M. Miura, T. Yatagai. Opt. Express, 15 (10), 6121 (2007)
  3. A.F. Fercher, W. Drexler, C.K. Hitzenberger, T. Lasser. Rep. Progr. Phys., 66, 239 (2003)
  4. M. Rossetti, P. Bardella, M. Gioannini, I. Montrosset. ECIO'08 Eindhoven --- Proc. 14th Eur. Conf. on Integrated Optics and Technical Exhibition, Contributed and Invited Papers. Eur. Conf. on Integrated Photonics (2008)
  5. S.-H. Guol, Jr-H. Wang, Y.-H. Wu, W. Lin, Y.-J. Yang, C.-K. Sun, C.-L. Pan, J.-W. Shi. IEEE Photon. Technol. Lett., 21 (5), 328 (2009)
  6. A.E. Zhukov, V.M. Ustinov, A.R. Kovsh, A.Yu. Egorov, N.A. Maleev, N.N. Ledentsov, A.F. Tsatsul'nikov, M.V. Maximov, Yu.G. Musikhin, N.A. Bert, P.S. Kop'ev, D. Bimberg, Zh.I. Alferov. Semicond. Sci. Technol., 14, 575 (1999)
  7. A. Kovsh, I. Krestnikov, D. Livshits, S. Mikhrin, A. Zhukov, J. Weimert. Optics Lett., 32 (7), 793 (2007)
  8. M.V. Maximov, A.F. Tsatsul'nikov, B.V. Volovik, D.S. Sizov, Y.M. Shernyakov, I.N. Kaiander, A.E. Zhukov, A.R. Kovsh, S.S. Mikhrin, V.M. Ustinov, Z.I. Alferov, R. Heitz, V.A. Shchukin, N.N. Ledentsov, D. Bimberg, Y.G. Musikhin, W. Neumann. Phys. Rev. B, 62 (24), 16671 (2000)
  9. S. Chen, W. Li, Z. Zhang, D. Childs, K. Zhou, J. Orchard, K. Kennedy, M. Hugues, E. Clarke, I. Ross, O. Wada, R. Hogg. Nanoscale Res. Lett., 10, 340 (2015)
  10. S. Haffouz, M. Rodermans, P.J. Barrios, J. Lapointe, S. Raymond, Z. Lu, D. Poitras. Electron. Lett., 46 (16), 1144 (2010)
  11. Du Chang Heo, Jin Dong Song, Won Jun Choi, Jung Il Lee, Ji Chai Jung, Il Ki Han. Electron. Lett., 39 (11), 863 (2003)
  12. Z.Y. Zhang, R.A. Hogg, B. Xu, P. Jin, Z.G. Wang. Optics Lett., 33, 1210-2 (2008)
  13. Aye S. M. Kyaw, Dae-Hyun Kim, Iain M. Butler, K. Nishi, K. Takemasa, M. Sugawara, David T.D. Childs, Richard A. Hogg. Appl. Phys. Lett., 122, 031104 (2023)
  14. M.V. Maximov, A.M. Nadtochiy, S.A. Mintairov, N.A. Kalyuzhnyy, N.V. Kryzhanovskaya, E.I. Moiseev, N.Yu. Gordeev, Yu.M. Shernyakov, A.S. Payusov, F.I. Zubov, V.N. Nevedomskiy, S.S. Rouvimov, A.E. Zhukov. Appl. Sci., 10, 1038 (2020)
  15. N.Yu. Gordeev, M.V. Maximov, A.S. Payusov, A.A. Serin, Yu.M. Shernyakov, S.A. Mintairov, N.A. Kalyuzhnyy, A.M. Nadtochiy, A.E. Zhukov. Semicond. Sci. Technol., 36, 015008 (2020)
  16. С.А. Минтаиров, Н.А. Калюжный, А.М. Надточий, М.В. Максимов, В.Н. Неведомский, Л.А. Сокура, С.С. Рувимов, М.З. Шварц, А.Е. Жуков. ФТП, 52 (10), 1131 (2018)
  17. Z.C. Wang, P. Jin, X.Q. Lv, X.K. Li, Z.G. Wang. Electron. Lett., 47 (21), 1191 (2011)
  18. X. Li, P. Jin, Q. An, Z. Wang, X. Lv, H. Wei, J. Wu, J. Wu, Z. Wang. IEEE Photon. Technol. Lett., 24 (14), 1188 (2012)
  19. A.F. Forrest, M. Krakowski, P. Bardella, M.A. Cataluna. Opt. Express, 27 (8), 10981 (2019)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme