Вышедшие номера
Широкополосное излучение суперлюминесцентных диодов на основе многослойных структур с квантовыми яма-точками InGaAs/GaAs
Российский научный фонд № 23 72 00038, № 23 72 00038
Министерство науки и высшего образования РФ, 0791-2020-0002
Максимов М.В. 1, Шерняков Ю.М. 2, Корнышов Г.О. 1, Симчук О.И. 1, Гордеев Н.Ю. 2, Бекман А.А.2, Паюсов А.С. 2, Минтаиров С.А. 2, Калюжный Н.А. 2, Кулагина М.М.2, Жуков А.Е. 3
1Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики", Санкт-Петербург, Россия
Email: maximov.mikh@gmail.com, yuri.shernyakov@mail.ioffe.ru, supergrigoir@gmail.com, osmailbox@yahoo.com, nkt.grdv@gmail.com, spbgate21@gmail.com, plusov@mail.ioffe.ru, mintairov@gmail.com, nickk@mail.ioffe.ru, marina.kulagina@mail.ioffe.ru, zhukale@gmail.com
Поступила в редакцию: 26 мая 2023 г.
В окончательной редакции: 16 июня 2023 г.
Принята к печати: 23 июня 2023 г.
Выставление онлайн: 14 июля 2023 г.

Исследованы суперлюминесцентные диоды с активной областью на основе 5 и 7 слоев квантовых яма-точек InGaAs/GaAs. Для реализации широкого спектра излучения без значительных провалов максимумы излучения отдельных слоев квантовых яма-точек сдвинуты друг относительно друга на 15-35 нм. Центральная длина волны суперлюминесцентных диодов составила ~1 мкм, а ширина линии излучения на половине высоты - 92 и 103 нм для суперлюминесцентных диодов с 5 и 7 слоями квантовых яма-точек соответственно. Ключевые слова: квантовые яма-точки, широкополосный источник излучения, суперлюминесцентный диод. DOI: 10.21883/FTP.2023.04.55902.5262