Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Исследование динамики включения низковольтных InP-гомотиристоров
Переводная версия: 10.61011/SC.2023.04.56428.4851 
Российский научный фонд, 22-79-10159
Слипченко С.О.1, Соболева О.С.1, Подоскин А.А.
1, Кириченко Ю.К.1, Багаев Т.А.1, Яроцкая И.В.1, Пихтин Н.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Email: SergHPL@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 13 апреля 2023 г.
В окончательной редакции: 18 мая 2023 г.
Принята к печати: 18 мая 2023 г.
Выставление онлайн: 14 июля 2023 г.
С использованием методов численного моделирования проведены исследования серии конструкций гетероструктур низковольтных гомотиристоров InP. В качестве базовой рассматривалась конструкция со слоем объемного заряда, сформированным в области p-базы n-p-n-транзисторной части. Исследованы динамические характеристики и процессы, определяющие скорость перехода во включенное состояние. Показано, что при увеличении толщины p-базы с 1 до 2.6 мкм достигаемые максимальные токи в открытом состоянии увеличиваются с 70 до 90 А, при этом минимальное время перехода во включенное состояние достигает 11 нс при максимальном блокируемом напряжении 55 В. Продемонстрировано, что эффективность работы во включенном состоянии определяется остаточным напряжением, величина которого снижается при уменьшении толщины p-базы. Ключевые слова: тиристор, ударная ионизация, дрейф-диффузионная модель. DOI: 10.21883/FTP.2023.04.55901.4851
- A. Klehr, A. Liero, H. Christopher, H. Wenzel, A. Maab dorf, P. Della Casa, J. Fricke, A. Ginolas, A. Knigge. Semicond. Sci. Techn., 35 (6), 065016 (2020)
- A. Klehr, H.J. Wunsche, A. Liero, T. Prziwarka, G. Erbert, H. Wenzel, A. Knigge. Semicond. Sci. Techn., 32 (4), 045016 (2017)
- S.O. Slipchenko, A.A. Podoskin, O.S. Soboleva, V.S. Golovin, D.N. Romanovich, V.A. Kapitonov, A.S. Kazakova, K.V. Bakhvalov, N.A. Pikhtin, T.A. Bagaev, M.A. Ladugin, A.A. Padalista, A.A. Marmalyuk, V.A. Simakov. IEEE Trans. Electron Dev., 68 (6), 2855 (2021)
- S.O. Slipchenko, A.A. Podoskin, V.S. Golovin, M.G. Rastegaeva, N.V. Voronkova, N.A. Pikhtin, V.A. Simakov. IEEE Phot. Techn. Lett., 33 (1), 11 (2020)
- T.A. Bagaev, N.V. Gul'tikov, M.A. Ladugin, A.A. Marmalyuk, Yu.V. Kurnyavko, V.V. Krichevskii, A.A. Morozyuk, V.P. Konyaev, V.A. Simakov, S.O. Slipchenko, A.A. Podoskin, N.A. Pikhtin, A.E. Kazakova, D.N. Romanovich, V.A. Kryuchkov. Quant. Electron., 51 (10), 912 (2021)
- A.A. Podoskin, I.V. Shushkanov, V.V. Shamakhov, A. Rizaev, M. Kondratov, A.A. Klimov, S.V. Zazoulin, S.O. Slipchenko, N.A. Pikhtin. Quant. Electron., 53 (1), 1 (2023).
- S.O. Slipchenko, A.A. Podoskin, V.S. Golovin, D.N. Romanovich, V.V. Shamakhov, D.N. Nikolaev, I.S. Shashkin, N.A. Pikhtin, T.A. Bagaev, M.A. Ladugin, A.A. Marmalyuk, V.A. Simakov. Opt. Express, 27 (22), 31446 (2019)
- V.S. Yuferev, A.A. Podoskin, O.S. Soboleva, N.A. Pikhtin, I.S. Tarasov, S.O. Slipchenko. IEEE Trans. Electron Dev., 62 (12), 4091 (2015)
- O.S. Soboleva, V.S. Golovin, V.S. Yuferev, P.S. Gavrina, N.A. Pikhtin, S.O. Slipchenko, A.A. Podoskin. Semiconductors, 54, 575 (2020)
- S. Selberherr. Analysis and Simulation of Semiconductor Devices (Wien-N. Y., Springer)
- K. Brennan, K. Hess. Solid-State Electron., 27 (4), 347 (1984)
- G. Wedel, T. Nardmanrr, M. Schroter. 2018 IEEE BiCMOS and Compound Semiconductor Integrated Circuits and Technology Symp. (BCICTS), 1 (October 15-17, 2018, San Diego, California, USA).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
