Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Пьезосопротивление в пленках поликристаллического кремния p-типа
1Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия 
Поступила в редакцию: 1 декабря 2003 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2004 г.
Описан эффект пьезосопротивления в поликристаллическом кремнии p-типа при рассеянии дырок на межкристаллитных потенциальных барьерах. Величины коэффициентов эластосопротивления при этом типе рассеяния близки к величинам коэффициентов эластосопротивления при рассеянии на ионах примеси и акустических колебаниях решетки. Расхождение между экспериментальными и расчетными коэффициентами эластосопротивления, возможно, может быть устранено при учете изменения эффективных масс при деформации, несферичности валентной зоны, "малых эффектов", а также учете дополнительного (дополнительных) механизмов рассеяния.
- J. Suski, V. Mosser, J. Goss. Sens. Actuators, 17, 405 (1989)
- J. Suski, V. Mosser, G. Le Roux. Proc. Electrochem. Soc. Conf. (San Diego, CA, USA, Oct. 1986). p. 331
- E. Obermeir. Ph. D. Thesis (University of Munich, 1983)
- P.H. French, A.G.R. Evans. Sensors Actuators, 7, 135 (1985)
- D. Schubert, W. Jenschke, T. Uhlig, F.M. Schmidt. Sensors Actuators, 11, 145 (1987)
- V.A. Gridchin, V.M. Lubimsky, M.P. Sarina. Sensors Actuators, A49, 67 (1995)
- P.H. French, A.G.R. Evans. Electron. Lett., 24, 999 (1984)
- T. Toriyama, Y. Yokoyama, S. Sugiyama. Sensors Materials, 12, 473 (2000)
- P.H. French, A.G.R. Evans. Sol. St. Electron., 32, 1 (1989)
- M. Le Berre, M. Lemiti, D. Barbier, P. Pinard, J. Cali, E. Bustarret, J. Sicart, J.L. Robert. Sensors Actuators, A46-47, 166 (1995)
- В.А. Гридчин, В.М. Любимский. Микроэлектроника, 32, 261 (2003)
- V. Mosser, J. Suski, J. Goss, E. Obermeir. Sensors Actuators, A28, 113 (1991)
- Г.Л. Бир, Г.Е. Пикус. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках (М., Наука, 1972)
- Г.Е. Пикус, Г.Л. Бир. ФТТ, 1, 1828 (1959)
- В.А. Гридчин, В.М. Любимский, А.Г. Моисеев. ФТП (в печати)
- N.C.C. Lu, C.Y. Gerberg, C.Y. Lu, J.D. Meidl. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-28, 818 (1981)
- M. Granveaud, P. Malsan. Onde Electron., 47, 392 (1967)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
