Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Определение времени жизни неосновных носителей заряда в слитках кремния по релаксации фотопроводимости, измеренной на сверхвысоких частотах

Бородовский П.А.¹, Булдыгин А.Ф.¹, Токарев А.С.¹

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Поступила в редакцию: 15 декабря 2003 г.

Выставление онлайн: 20 августа 2004 г.

PDF версия

Предлагается новый метод определения объемного времени жизни неосновных носителей заряда в слитках монокристаллического кремния. Измеренный на сверхвысокой частоте сигнал фотопроводимости, нормированный по его начальному значению, сравнивается с результатами расчета полного числа избыточных носителей заряда N(t)/N_st, где N_st соответствует квазистационарной фотопроводимости. Местоположение точки пересечения кривой релаксации фотопроводимости и зависимости N(t=tau)/N_st определяет объемное время жизни tau=tau_v. Измерения проводились на слитках кремния, полученных методом бестигельной зонной плавки и методом Чохральского, с различной величиной удельного электрического сопротивления. Представленные результаты измерений хорошо согласуются с расчетом.

Л.П. Павлов. Методы измерения параметров полупроводниковых материалов (М., Высш. шк., 1987) гл. 3, с. 105
N.J. Harrick. J. Appl. Phys., 27(12), 1439 (1956)
V. Grivickas, J. Linnros, A. Vigelis, J. Seckus, J.A. Tellefsek. Sol. St. Electron., 35, 299 (1992)
J. Linnros. J. Appl. Phys., 84, 275 (1998)
Д.В. Ахметов, Н.В. Фатеев. ФТП, 35, 40 (2001)
A.M. Ramsa, H. Jacobs, F.A. Brand. J. Appl. Phys., 30, 1054 (1959)
H.A. Alwater. J. Appl. Phys., 30, 1054 (1959)
M. Kunst. G. Beck. J. Appl. Phys., 60, 3558 (1986); J. Appl. Phys., 63, 1093 (1988)
A. Sanders, M. Kunst. Sol. St. Electron., 34, 1007 (1991)
C. Swiatkowski, A. Sanders, K.-D. Buhre, M. Kunst. J. Appl. Phys., 78, 1763f (1995)
M. Schofthaler, R. Brendel. J. Appl. Phys., 77, 3162 (1995)
J. Schmidt, A.G. Aberle. J. Appl. Phys., 81, 6187 (1995)
П.А. Бородовский, А.Ф. Булдыгин, А.С. Токарев. Автометрия, N 6, 43 (2000)
M.S. Tyagi, J.F. Nus. Sol. St. Electron., 25, 411 (1982)
В.Е. Лашкарев, Э.И. Рашба, В.А. Романов, З.А. Демиденко. ЖТФ, 28, 1853 (1958)
K. Misiakos, F.A. Lindholm, A. Neugroshel. J. Appl. Phys., 58(4), 1647 (1985)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель