Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Границы раздела слоев и шероховатость в многослойной кремниевой структуре

Беляева А.И.¹, Галуза А.А.¹, Коломиец С.Н.¹

¹Национальный технический университет "Харьковский политехнический институт", Харьков, Украина National Technical University “Kharkiv Polytechnic Institute”, Kharkiv, Ukraine

National Technical University “Kharkiv Polytechnic Institute”, Kharkiv, Ukraine

Поступила в редакцию: 4 декабря 2003 г.

Выставление онлайн: 20 августа 2004 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Приведены результаты спектральных эллипсометрических исследований сложной многослойной системы <подложка Si>-<слой SiO₂>-<слой поликристаллического Si>. Предложена методика анализа многослойной структуры, основанная на сильной зависимости экспериментальных данных спектральной эллипсометрии от глубины проникновения зондирующего излучения при различных длинах волн видимого диапазона. Определена реальная структура системы и параметры слоев. Обработка эллипсометрических данных дала возможность обнаружить естественный шероховатый поверхностный окисный слой SiO₂, а также переходный слой на границе раздела <слой поликристаллического Si>-<слой естественного окисла>, определены их состав и толщина. Показано, что осажденный слой Si представляет собой смесь кристаллической и аморфной фаз, найдено их процентное содержание.

T.I. Kamins. Polycrystalline Silicon for Integrated Circuit Applications (Boston, Academic Publishers, 1988)
C. Zhoa, P.R. Lefevre, E.A. Irene. Thin Sol. Films, 313--314, 286 (1998)
В.И. Гавриленко, А.М. Грехов, Д.В. Коробутяк, В.Г. Литовченко. Оптические свойства полупроводников (Киев, Наук. думка, 1987) с. 172
A. Borghesi, M.E. Giardini, M. Marazzit. Appl. Phys. Lett., 70, 892 (1997)
D.A.G. Bruggeman. Ann. Phys., 5, 636 (1935)
Р. Аззам, Н. Башара. Эллипсометрия и поляризованный свет (М., Мир, 1981) с. 311
O.W. Holland, B.R. Appleton, J. Narayan. J. Appl. Phys., 54, 2295 (1983)
A.I. Belyaeva, A.A. Galuza. Advances in Cryogenic Engineering ( Materials), 46A, 435 (2000)
G.E. Jellison. Opt. Mater., 1, 41 (1992)
G.E. Jellison, M.F. Chisholm, S.M. Gorbatkin. Appl. Phys. Lett., 62, 3348 (1993)
Г.С. Ландсберг. Оптика (М., Наука, 1976) с. 563

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель