Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Формирование биосовместимых SiC-нанотрубок "сверху-вниз"

DOI: 10.21883/FTP.2023.05.56201.28k

Буравлев А.Д.^1,2,3,4, Казакин А.Н.⁵, Нащекина Ю.А.^3,6, Нащекин А.В.³, Убыйвовк Е.В.³, Астраханцева В.А.¹, Осипов А.В.⁷, Святец Г.В.⁸, Кукушкин С.А.⁷

¹Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия St. Petersburg State Electrotechnical University “LETI", St. Petersburg, Russia

St. Petersburg State Electrotechnical University “LETI", St. Petersburg, Russia

²Университет при Межпарламентской Ассамблее ЕврАзЭС, Санкт-Петербург, Россия AN HEO "University associated with IA EAEC", Saint-Petersburg, Russia

AN HEO "University associated with IA EAEC", Saint-Petersburg, Russia

³Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

⁴Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия Institute for Analytical Instrumentation of the Russian Academy of Sciences, Saint Petersburg, Russia

Institute for Analytical Instrumentation of the Russian Academy of Sciences, Saint Petersburg, Russia

⁵Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия Alferov Federal State Budgetary Institution of Higher Education and Science Saint Petersburg National Research Academic University of the Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

Alferov Federal State Budgetary Institution of Higher Education and Science Saint Petersburg National Research Academic University of the Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

⁶Институт цитологии Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия Institute of Cytology Russian Academy of Science, Saint-Petersburg, Russia

Institute of Cytology Russian Academy of Science, Saint-Petersburg, Russia

⁷Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия Institute for Problems in Mechanical Engineering of the Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

Institute for Problems in Mechanical Engineering of the Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

⁸OOO "Научно-технический центр "Новые технологии", Санкт-Петербург, Россия Scientific and Technical Center New Technologies ( STC NT), Saint-Petersburg, Russia

Scientific and Technical Center New Technologies ( STC NT), Saint-Petersburg, Russia

Email: bour@mail.ioffe.ru

Поступила в редакцию: 5 мая 2023 г.

В окончательной редакции: 29 июня 2023 г.

Принята к печати: 6 июля 2023 г.

Выставление онлайн: 25 августа 2023 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

При проведении экспериментов по синтезу слоев карбида кремния на монокристаллических подложках кремния с помощью метода согласованного замещения атомов обнаружено, что образование тонких пленок карбида кремния может сопровождаться формированием массивов нанотрубок карбида кремния произрастающих в глубь кремниевых подложек. Таким образом, впервые обнаружен новый механизм образования карбид-кремниевых нанотрубок -"сверху-вниз". Ключевые слова: карбид кремния, нанотрубки, пар-жидкость-кристалл, формирование наноструктур. DOI: 10.21883/FTP.2023.05.56201.28k

S. Chen, W. Li, X. Li, W. Yang. Progr. Mater. Sci., 104, 138 (2019)
D. Ruixue, Y. Yintang, L. Lianxi. J. Semiconductors, 30 (11), 114010 (2009)
X. Wang, K.M. Liew. J. Phys. Chem. C, 115 (21), 10388 (2011)
R.S. Singh. Diamond Relat. Mater., 124, 108932 (2021)
M. Ollivier, L. Latu-Romain, B. Salem. Mater. Sci. Semicond. Process., 29, 218 (2015)
K. Nakamura, T. Toriyama, S. Sugiyama. Jpn. J. Appl. Phys., 50, 06GE05 (2011)
S. Chen, P. Ying, L. Wang, F. Gao. RSC Advances, 4, 8376 (2014)
A. Bouravleuv, G. Cirlin, V. Sapega, P. Werner, A. Savin, H. Lipsanen. J. Appl. Phys., 113, 144303 (2013)
A. Bouravleuv, I. Ilkiv, R. Reznik, K. Kotlyar, I. Soshnikov, G. Cirlin, P. Brunkov, D. Kirilenko, L. Bondarenko, A. Nepomnyaschiy, D. Gruznev, A. Zotov, A. Saranin, V. Dhaka, H. Lipsanen. Nanotechnology, 29, 045602 (2017)
Y. Berdnikov, I. Ilkiv, N. Sibirev, E. Ubyivovk, A. Bouravleuv. Nanotechnology, 37, 374005 (2020)
H. Ye, N. Titchenal, Y. Gogotsi, F. Ko. Adv. Mater., 17 (12), 1531 (2005)
V.C.S. Tony, Ch.H. Voon, Ch.Ch. Lee. Mater. Res., 20 (6), 1658 (2017)
M. Mehregany, C.A. Zorman. Thin Sol. Films, 355--356, 518 (1999)
Y. Hirano, T. Inada. J. Appl. Phys., 77, 1020 (1995)
J.U. Hassan, P. Bergman, A. Henry. Mater. Sci. Forum, 556, 53 (2007)
S.A. Kukushkin, A.V. Osipov. J. Phys. D: Appl. Phys., 47, 313001 (2014)
S.A. Kukushkin, A.V. Osipov. Inorg. Mater., 57 (13), 1319 (2021)
S.A. Kukushkin, A.V. Osipov. Condens. Matter and Interphases, 24 (4), 407 (2022)
С.А. Кукушкин, А.В. Осипов, А.В. Редьков. ФТП, 51 (3), 414 (2017). (S.A. Kukushkin, A.V. Osipov, A.V. Red'kov. Semiconductors, 51 (3), 396 (2017). doi: 10.1134/S1063782617030149)
S.A. Kukushkin, A.V. Osipov. Physica B, 512, 26 (2017). http://dx.doi.org/10.1016/j.physb.2017.02.018
R. Rusinek, M. Molenda, J. Horabik. Powder Tech., 190 (3), 410 (2009)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель