Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Измерения удельного сопротивления легированных азотом монокристаллов алмаза типа Ib методом Ван дер Пау с контактами Ti-Pt в интервале температур 573-1000 K

DOI: 10.21883/FTP.2023.05.56206.4748

Буга С.Г. ¹, Квашнин Г.М.¹, Кузнецов М.С.¹, Корнилов Н.В.¹, Лупарев Н.В.¹, Яо М.²

¹Технологический институт сверхтвердых и новых углеродных материалов, Москва, Троицк, Россия Technological Institute for Superhard and Novel Carbon Materials, Moscow, Russia

Technological Institute for Superhard and Novel Carbon Materials, Moscow, Russia

²Государственная ведущая лаборатория сверхтвердых материалов, Цзилинь университет, Чанчунь, КНР State Key Laboratory of Superhard Materials, Jilin University, Changchun, China

State Key Laboratory of Superhard Materials, Jilin University, Changchun, China

Email: buga@tisnum.ru

Поступила в редакцию: 20 апреля 2023 г.

В окончательной редакции: 2 июня 2023 г.

Принята к печати: 26 июня 2023 г.

Выставление онлайн: 25 августа 2023 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Методом Ван дер Пау в диапазоне температур 573-1000 K определены значения удельного электрического сопротивления квадратных алмазных пластин, легированных азотом в виде C-центров с концентраций 5; 55; 140 млн^-1. По результатам анализа первичных данных измерений рассчитаны значения удельного сопротивления в приближении точечных омических Ti-Pt-контактов, а также с учетом реальных размеров треугольных угловых контактов. Установлено, что вплоть до значения температуры 930±50 K расхождения в значениях удельного сопротивления, полученные тремя различными способами анализа экспериментальных данных, не превышают 3-7%. Ti-Pt-контакты могут быть пригодны для применения в микроэлектронных и квантовых оптоэлектронных устройствах на основе алмазов, легированных азотом. Ключевые слова: полупроводниковый алмаз n-типа, легирование азотом, омические контакты, удельное сопротивление. DOI: 10.21883/FTP.2023.05.56206.4748

C.J.H. Wort, R.S. Balmer. Materials Today, 11, 23 (2008)
S. Koizumi, H. Umezawa, J. Pernot, M. Suzuki. Power Electronics Device Applications of Diamond Semiconductors. A volume in Woodhead Publishing Series in Electronic and Optical Materials (Elsevier Ltd, Woodhead Publishing, 2018) p. 433
N. Donato, N.C. Rouger, J. Pernot, G. Longobardi, F. Udrea. J. Phys. D: Appl. Phys., 53 (9), 093001 (2019)
V.S. Bormashov, S.A. Terentiev, S.G. Buga, S.A. Tarelkin, A.P. Volkov, D.V. Teteruk, N.V. Kornilov, M.S. Kuznetsov, V.D. Blank. Diamond Relat. Mater., 75, 78 (2017)
V. Bormashov, S. Troschiev, A. Volkov, S. Tarelkin, E. Korostylev, A. Golovanov, M. Kuznetsov, D. Teteruk, N. Kornilov, S. Terentiev, S. Buga, V. Blank. Phys. Status Solidi A, 212 (11), 2539 (2015)
X. Zhang, T. Matsumoto, S. Yamasaki, C.E. Nebel, T. Inokuma, N. Tokuda. J. Mater. Res., 36, 4688 (2021)
T. Matsumoto, T. Mukose, T. Makino. Diamond Relat. Mater., 75, 152 (2017)
T. Matsumoto, T. Yamakawa, H. Kato, T. Makino, M. Ogura, X. Zhang, T. Inokuma, S. Yamasaki, N. Tokuda. Appl. Phys. Lett., 119, 242105 (2021)
S. Pezzagna, D. Rogalla, D.Wildanger, J. Meijer, A. Zaitsev. New J. Phys., 13, 035024 (2011)
L. Childress, R. Hanson. MRS Bulletin, 38, 134 (2013)
L. Rondin, J-P. Tetienne, T. Hingant, J-F. Roch, P. Maletinsky, V. Jacques. Rep. Progr. Phys., 77, 056503 (2014)
V.V. Soshenko, S.V. Bolshedvorskii, O. Rubinas, V.N. Sorokin, A.N. Smolyaninov, V.V. Vorobyov, A.V. Akimov. Phys. Rev. Lett., 126, 197702 (2021)
E. Bernardi, R. Nelz, S. Sonusen, E. Neu. Crystals, 7, 124 (2017)
I. Stenger, M.-A. Pinault-Thaury, N. Temahuki, R. Gillet, S. Temgoua, H. Bensalah, E. Chikoidze, Y. Dumont, J. Barjon. J. Appl. Phys., 129, 105701 (2021)
R. G. Farrer. Solid State Commun., 7, 685 (1969)
F.J. Heremans, G.D. Fuchs, C.F. Wang, R. Hanson, D.D. Awschalom. Appl. Phys. Lett., 94, 152102 (2009)
A.M. Zaitsev. Optical properties of diamond: a data handbook (Springer, Berlin-N. Y., 2001)
M.N.R. Ashfold, J.P. Goss, B.L. Green, P.W. May, M.E. Newton, C.V. Peaker. Chem. Rev., 120 (12), 5745 (2020)
T. Tachibana, B.E. Williams, J.T. Glass. Phys. Rev. B, 45, 11975 (1992)
M. Yokoba, Y. Koide, A. Otsuki, F. Ako, T. Oku, M. Murakami. J. Appl. Phys., 81, 6815 (1997)
Y.G. Chen, M. Ogura, S. Yamasaki, H. Okushi. Semicond. Sci. Technol., 20, 860 (2005)
Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдбург. ФТП, 41 (11), 1281 (2007)
I.J. van der Pauw. Philips Res. Rep., 13, 1 (1958)
Y.N. Palyanov, I.N. Kupriyanov, A F. Khokhryakov, V.G. Ralchenko. Cryst. Growth of Diamond, Chap. 17 in Handbook of Crystal Growth, ed. by P. Rudolph (Elsevier B.V., 2015)
Y.N. Palyanov, Y.M. Borzdov, A.F. Khokhryakov, I.N. Kupriyanov. A.G. Sokol. Cryst. Growth Des., 10, 3169 (2010)
Novel Aspects of Diamond. From Growth to Applications, ed. by Nianjun Yang (Heidelberg, Springer Verlag GmbH, Germany, 2015)
I.J.R. Chwang, B.J. Smith, C.R. Crowell. Solid State Electron., 17, 1217, (1974)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель