Вышедшие номера
Измерения удельного сопротивления легированных азотом монокристаллов алмаза типа Ib методом Ван дер Пау с контактами Ti-Pt в интервале температур 573-1000 K
Буга С.Г. 1, Квашнин Г.М.1, Кузнецов М.С.1, Корнилов Н.В.1, Лупарев Н.В.1, Яо М.2
1Технологический институт сверхтвердых и новых углеродных материалов, Москва, Троицк, Россия
2Государственная ведущая лаборатория сверхтвердых материалов, Цзилинь университет, Чанчунь, КНР
Email: buga@tisnum.ru
Поступила в редакцию: 20 апреля 2023 г.
В окончательной редакции: 2 июня 2023 г.
Принята к печати: 26 июня 2023 г.
Выставление онлайн: 25 августа 2023 г.

Методом Ван дер Пау в диапазоне температур 573-1000 K определены значения удельного электрического сопротивления квадратных алмазных пластин, легированных азотом в виде C-центров с концентраций 5; 55; 140 млн-1. По результатам анализа первичных данных измерений рассчитаны значения удельного сопротивления в приближении точечных омических Ti-Pt-контактов, а также с учетом реальных размеров треугольных угловых контактов. Установлено, что вплоть до значения температуры 930±50 K расхождения в значениях удельного сопротивления, полученные тремя различными способами анализа экспериментальных данных, не превышают 3-7%. Ti-Pt-контакты могут быть пригодны для применения в микроэлектронных и квантовых оптоэлектронных устройствах на основе алмазов, легированных азотом. Ключевые слова: полупроводниковый алмаз n-типа, легирование азотом, омические контакты, удельное сопротивление. DOI: 10.21883/FTP.2023.05.56206.4748