Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Слабая антилокализация в сильно разупорядоченном двумерном полуметалле в квантовой яме HgTe
The Ministry of Science and Higher Education of the Russian Federation
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия 
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
Email: eolsh@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 30 июля 2023 г.
В окончательной редакции: 4 августа 2023 г.
Принята к печати: 4 августа 2023 г.
Выставление онлайн: 25 августа 2023 г.
Экспериментально исследована слабая локализация в сильно разупорядоченной квантовой яме CdxHg1-xTe/HgTe/CdxHg1-xTe толщиной d=20 нм. Проведен анализ аномального положительного магнетосопротивления, обусловленного подавлением интерференционной поправки к проводимости магнитным полем, по обе стороны от точки зарядовой нейтральности: для двумерного полуметалла и для двумерного электронного металла. При одинаковых значениях удельного сопротивления пик аномального положительного магнетосопротивления в 2D полуметалле имеет значительно большую ширину, чем в 2D электронном газе. Количественное сравнение полученных результатов с теорией позволяет, в частности, сделать вывод о том, что интенсивность переходов носителей между подсистемами в бинарной системе 2D полуметалл максимальна вблизи точки зарядовой нейтральности, где концентрации электронов и дырок близки, и уменьшается по мере увеличения разницы в концентрациях. Ключевые слова: полуметалл, квантовая яма, HgTe, слабая антилокализация. DOI: 10.21883/FTP.2023.05.56208.5395
- L.G. Gerchikov, A. Subashiev. Phys. Status Solidi B, 160, 443 (1990)
- M. Konig, S. Wiedmann, C. Brune, A. Roth, H. Buhmann, L.W. Molenkamp, X.-L. Qi, S.-C. Zhang. Science, 318, 766 (2007)
- О.А. Панкратов. УФН, 188, 1226 (2018)
- M.V. Durnev, S.A. Tarasenko. Ann. Phys. (Berlin), 531, 1800418 (2019)
- H. Plank, S.D. Ganichev. Solid-State Electron., 147, 44 (2018)
- E.B. Olshanetsky, Z.D. Kvon, G.M. Gusev, A.D. Levin, O.E. Raichev, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretsky. Phys. Rev. Lett., 114, 126802 (2015)
- E.B. Olshanetsky, Z.D. Kvon, G.M. Gusev, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretsky, J.C. Portal. JETP Lett., 91, 347 (2010)
- G.M. Minkov, A.V. Germanenko, O.E. Rut, A.A. Sherstobitov, S.A. Dvoretski, N.N. Mikhailov. Phys. Rev. B, 85, 235312 (2012)
- G.M. Minkov, A.V. Germanenko, O.E. Rut, A.A. Sherstobitov, S.A. Dvoretski, N.N. Mikhailov. Phys. Rev. B, 91, 205302 (2015)
- D.A. Kozlov, Z.D. Kvon, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretsky. JETP Lett., 96, 730 (2013)
- M.L. Savchenko, D.A. Kozlov, Z.D. Kvon, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretsky. JETP Lett., 104, 302 (2016)
- M.L. Savchenko, D.A. Kozlov, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretsky, Z.D. Kvon. Physica E, 129, 114624 (2021)
- Z.D. Kvon, E. Olshanetsky, D.A. Kozlov, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretskii. JETP Lett., 87, 502 (2008)
- З.Д. Квон, Е.Б. Ольшанецкий, Д.А. Козлов, Е.Г. Новик, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий. Физика низких температур, 37, 258 (2011)
- D.D. Bykanov, A.M. Kreshchuk, S.V. Novikov, T.A. Polyanskaya, I.G. Savel'ev. Semiconductors, 32, 985 (1998)
- S. Hikami, A.I. Larkin, Y. Nagaoka. Prog. Theor. Phys., 63, 707 (1980)
- H.-P. Wittmann, A. Schmid. J. Low Temp. Phys., 69, 131 (1987)
- B.L. Altshuler, A.G. Aronov, D.E. Khmelnitsky. J. Phys. C, 15, 7367 (1982)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
