Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Характеристики планарных диодов терагерцового диапазона частот на основе сильно легированных GaAs/AlAs-сверхрешеток

Павельев Д.Г.¹, Демарина Н.В.¹, Кошуринов Ю.И.¹, Васильев А.П.², Семенова Е.С.², Жуков А.Е.², Устинов В.М.²

¹Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

²Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 19 января 2004 г.

Выставление онлайн: 20 августа 2004 г.

PDF версия

Исследованы характеристики омических контактов на основе InGaAs в планарных диодах на полупроводниковых сверхрешетках с малой площадью активной области (1-10 мкм²). Диоды изготавливались на основе коротких (18 или 30 периодов) высоколегированных (10¹⁸ см^-3) GaAs/AlAs-сверхрешеток с шириной минизоны 24.4 мэВ. Величина приведенного сопротивления омического контакта при комнатной температуре составила 2·10^-7 Ом·см². Показано, что свойства созданных планарных диодов позволят в дальнейшем использовать их в полупроводниковых приборах, функционирующих в терагерцовой области частот в широком диапазоне температур (4-300 K).

СВЧ полупроводниковые приборы и их применение, под ред. Г. Уотсона (М., Мир, 1972) с. 217. [Пер. с англ.: Microwave semiconductor devices and their circuit applications, ed. by H.A. Watson (N.Y.--Toronto--London--Sydney, McGraw-Hill Book Company, 1969)]
Техника спектроскопии в дальней инфракрасной субмиллиметровой и миллметровой областях спектра, ред. Т.М. Лифшиц (М., Мир, 1970). [Пер. с англ.: Spectroscopic techniques for far-infrared, submillimeter and millimeter waves, ed. by D.H. Martin (Amsterdam, North-Holland Publishing Company, 1967)]
J.A. Calviello. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-26, 1273 (1979)
F. Lewen, R. Gendriesh, I. Pak, D.G. Paveliev, M. Hepp, R. Schieder, G. Winnerwisser. Rev. Sci. Instrum., 69, 32 (1998)
F. Maiwald, F. Lewen, B. Vowinkel, W. Jabs, D.G. Paveljev, M. Winnerwisser, G. Winnerwisser. IEEE Micorwave and Guided Wave Lett., 9, 198 (1999)
F. Maiwald, F. Lewen, V. Ahrens, M. Beaky, R. Gendriesch, A.N. Koroliev, A.A. Negirev, D.G. Paveliev, B. Vowinkel, G. Winnewisser. J. Mol. Spectrosc., 202, 166 (2000)
C.-I. Lin, A. Vogt, M. Rodriguez-Gironez, A. Simon, H.L. Hartnagel. Annual Report (Technische Universitaet Darmstadt, 1998, p. 33); http://www.hf.e-technik.tu-darmstadt.de/forschung/jahreberichte/JB1998/index.php
S. Brandl, E. Schomburg, R. Scheuerer, K. Hofbeck, J. Grenzer, K.F. Penk, D.G. Pavel'ev, Yu. Koschurinov, A. Zhukov, A. Kovsch, V. Ustinov, S. Ivanov, P.S. Kop'ev. Appl. Phys. Lett., 73, 3117 (1998)
E. Schomburg, K. Hofbeck, R. Scheuerer, M. Haeussler, K.F. Renk, A.-K. Jappsen, A. Amann, A. Wacker, E. Scholl, D.G. Pavel'ev, Yu. Koschurinov. Phys. Rev. B, 65, 155 320 (2002)
L. Esaki, R. Tsu. IBM J. Res. and Dev., 14, 61 (1970)
S. Winnerl, E. Schomburg, J. Grenzer, H.-J. Regl, A.A. Ignatov, A.D. Semenov, K.F. Renk, D.G. Pavel'ev, Yu. Koschurinov, B. Melzer, V. Ustinov, S. Ivanov, S. Schaposchnikov, P.S. Kop'ev. Phys. Rev. B, 56, 10 303 (1997)
N. Braslau, J.B. Gunn, J.L. Staples. Sol. St. Electron., 10, 381 (1967)
N. Braslau. J. Vac. Sci. Technol., 19, 803 (1981)
C.P. Lee. Electron. Lett., 12, 406 (1981)
K.A. Jones, E.H. Linfield, J.E.F. Frost. Appl. Phys. Lett., 69, 4197 (1996)
R. de L. Kronnig, W.G. Penney. Proc. Royal Soc., A130, 499 (1931)
G. Bastard. Wave Mechnaics Applied to Semiconductor Heterostructures (Les Editions de Physique, 1988)
М. Шур. Современные приборы на основе арсенида галлия (М., Мир, 1991) с. 33. Пер. с англ.: M. Shur. GaAs devices and circuits (N.Y.--London, Plenum Press, 1987)
C. Jacoboni, L. Reggiani. Rev. Mod. Phys., 55, 645 (1983)
Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц Теоретическая физика, т. III. Квантовая механика. Нерелятивистская теория (М., Наука, 1989)
W. Fawsett, D.A. Boardman, S. Swain. J. Phys. Chem. Sol., 31, 1963 (1970)
J.G. Ruch, W. Fawsett. J. Appl. Phys., 41, 3843 (1970)
A. Wacker, A.-P. Jauho. Superlat. Microstruct., 23, 297 (1998)
J.M. Woodall, J.L. Freeouf, G.D. Pettit, T. Jackson, P. Kirchner. J. Vac. Sci. Technol., 19, 626 (1981)
Д.Г. Павельев, Ю.И. Кошуринов, А.П. Васильев, С.С. Михрин, В.М. Устинов, А.Е. Жуков, П.С. Копьев. Нанофотоника. Материалы совещания (Н. Новгород, ИФМ РАН, 2002) с. 116
С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) т. 1, 2.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель