Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Оптические и электрические свойства 4H-SiC, облученного нейтронами и тяжелыми ионами высоких энергий

Калинина Е.В.¹, Холуянов Г.Ф.¹, Онушкин Г.А.¹, Давыдов Д.В.¹, Стрельчук А.М.¹, Константинов А.О.², Hallen A.³, Никифоров А.Ю.⁴, Скуратов В.А.⁵, Havancsak K.⁶

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Acreo AB, Electrum 236, SE 164 40 Kista, Sweden
³Royal Institute of Technology Department of Electronics, Electrum 229, SE 164 40 Kista, Sweden
⁴Специализированные электронные системы, Москва, Россия
⁵Объединенный институт ядерных исследований, Дубна, Россия Joint Institute for Nuclear Research, Dubna, Russia

Joint Institute for Nuclear Research, Dubna, Russia

⁶Eotvos University, Pazmany P. setany 1/A, Budapest, Hungary

Поступила в редакцию: 1 марта 2004 г.

Выставление онлайн: 19 сентября 2004 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Методами фотолюминесценции и спектроскопии глубоких уровней исследовалось влияние облучения быстрыми нейтронами, ионами Kr (235 МэВ) и Bi (710 МэВ) на оптические и электрические свойства высокоомных чистых эпитаксиальных слоев 4H-SiC n-типа проводимости, выращенных методом газотранспортной эпитаксии. Электрические характеристики изучались с помощью барьерных структур на основе этих эпитаксиальных слоев: барьеров Шоттки с контактами Al и Cr, а также p⁺-n-n⁺-диодов, полученных ионной имплантацией Al. Согласно полученным экспериментальным данным, нейтроны и высокоэнергетические ионы вызывают образование в 4H-SiC идентичных дефектных центров. Результаты показывают, что даже при экстремально высоких значениях плотности ионизации 34 кэВ/нм, характерных для ионов Bi, формирование дефектной структуры в монокристаллах SiC определяется потерями энергии частиц на упругое рассеяние.

T. Dalibor, G. Pensl, H. Matsunami, T. Kimoto, W.J. Choyke, A. Schoner, N. Nordel. Phys. Status Solidi A, 162, 199 (1997)
В.В. Макаров. ФТТ, 13, 2357 (1971)
V.S. Balandovich, G.N. Violina. Cryst. Lattice Defects Amorphous Mater., 13, 189 (1987)
A.M. Strel'chuk, V.V. Kozlovskii, N.S. Savkina, M.G. Rastegaeva, A.N. Andreev. Mater. Sci. Eng., 61- 62, 441 (1999)
M. Levalois, I. Lhermitte-Sebire, P. Marie, E. Paumier, J. Vicens. Nucl. Instr. Meth. B, 107, 239 (1996)
L. Liszkay, K. Havancsak, M.-F. Barthe, P. Desgardin, L. Henry, Zs. Kajcsos, G. Battistig, E. Szilagyi, V.A. Skuratov. Mater. Sci. Forum, 363, 123 (2001)
S.J. Zinkle, J.W. Jones, V.A. Skuratov. MRS Symp. Proc., 650, R3.19.1 (2001)
E. Kalinina, G. Kholujanov, G. Onushkin, D. Davydov, A. Strel'chuk, A. Zubrilov, A. Hallen, A. Konstantinov, V. Skuratov, J. Stav no. Mater. Sci. Forum, 433-- 436, 467 (2003)
E. Kalinina, G. Kholujanov, V. Solov'ev, A. Strel'chuk, A. Zubrilov, V. Kossov, R. Yafaev, A.P. Kovarski, A. Hallen, A. Konstantinov, S. Karlsson, C. Ad s, S. Rendakova, V. Dmitriev. Appl. Phys. Lett., 77 (19), 3051 (2000)
W.J. Weber, F. Gao, R. Devanathan, W. Jiang, C.M. Wang. Nucl. Instr. Meth. B, 216, 25 (2004)
В.И. Авраменко, Ю.В. Конобеев, А.М. Строкова. Атомная энергия, 56 (3), 139 (1984)
M. Ikeda, H. Matsunami. Phys. Status Solidi A, 58, 657 (1980)
Ю.М. Сулейманов, А.М. Грехов, В.М. Грехов. ФТТ, 25, 1840 (1983)
Ю.А. Водаков, Г.А. Ломакина, Е.Н. Мохов, М.Г. Рамм, В.И. Соколов. ФТП, 20, 2153 (1986)
L. Patrick, W.J. Choyke. Phys. Rev. B, 5, 3253 (1972)
В.В. Макаров, Н.Н. Петров. ФТТ, 8, 1602 (1966)
Н.В. Кодрау, В.В. Макаров. ФТП, 15, 1408 (1981)
C. Hemmingsson, N.T. Son, O. Kordina, J.P. Bergman, E. Janzen, J.L. Lindstrom, S. Savage, N. Nordell. J. Appl. Phys., 81, 6155 (1997)
В.С. Балландович. ФТП, 11, 1314 (1999)
А.А. Лебедев, А.М. Иванов, Н.Б. Строкан. ФТП, 38, 129 (2004)
Е.В. Калинина, Г.Ф. Холуянов, Д.В. Давыдов, А.М. Стрельчук, A. Hallen, А.О. Константинов, В.В. Лучинин, А.Ю. Никифоров. ФТП, 37, 1260 (2003)
А.А. Лебедев, А.И. Вейнгер, Д.В. Давыдов, В.В. Козловский, Н.С. Савкина, А.М. Стрельчук. ФТП, 34, 1058 (2000)
А.И. Гирка, А.Д. Мокрушин, Е.Н. Мохов, В.М. Осадчиев, С.В. Свирида, А.В. Шишкин. ЖЭТФ, 97, 578 (1990)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель