Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние центров безызлучательной рекомбинации на эффективность фотолюминесценции структур с квантовыми точками
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Технический университет Берлина, Берлин, Германия
2Технический университет Берлина, Берлин, Германия
Поступила в редакцию: 20 февраля 2004 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2004 г.
Исследовано влияние дислокаций на интенсивность фотолюминесценции структур с квантовыми точками в системе InAs-GaAs. Структурные характеристики образцов, в том числе плотность дислокаций, исследовались электронной микроскопией как в режиме светлого поля, так и в режиме слабого пучка. При температурах ниже комнатной и умеренных плотностях мощности накачки структура, содержащая большие кластеры с дислокациями, и структура, в которой их плотность существенно меньше, имеют примерно одинаковую интенсивность фотолюминесценции. В противоположность этому интенсивности люминесценции, измеренные при больших плотностях накачки и повышенных температурах, позволяют адекватно оценить кристаллическое качество структур с квантовыми точками. Отжиг квантовых точек после заращивания их тонким (1-2 нм) слоем GaAs позволяет уменьшить плотность кластеров с дислокациями и существенно увеличить температурную стабильность интенсивности фотолюминесценции.
- N.N. Ledentsov. IEEE J. Select. Topics Quant. Electron., 8, 1015 (2002)
- N.N. Ledentsov, V.A. Shchukin, M. Grundmann, N. Kirstaedter, J. Bohrer, O. Schmidt, D. Bimberg, S.V. Zaitsev, V.M. Ustinov, A.E. Zhukov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, A.O. Kosogov, S.S. Ruvimov, P. Werner, U. Gosele, J. Heydenreich. Phys. Rev. B, 54, 8743 (1996)
- M.V. Maximov, A.F. Tsatsul'nikov, B.V. Volovik, D.S. Sizov, Yu.M. Shernyakov, I.N. Kaiander, A.E. Zhukov, A.R. Kovsh, S.S. Mikhrin, V.M. Ustinov, Zh.I. Alferov, R. Heitz, V.A. Shchukin, N.N. Ledentsov, D. Bimberg, Yu.G. Musikhin, W. Neumann. Phys. Rev. B, 62, 16 671 (2000)
- D. Bimberg, M. Grundman, N.N. Ledentsov. Quantum dot heterostructures (John Wiley \& Sons, 1999)
- M. Grundman. Nano-optoelectronics Concepts, Physics and Devices (Springer, 2002)
- Б.В. Воловик, А.Ф. Цацульников, Д.А. Бедарев, А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, А.Р. Ковш, Н.Н. Леденцов, М.В. Максимов, Н.А. Малеев, Ю.Г. Мусихин, А.А. Суворова, В.М. Устинов, П.С. Копьев, Ж.И. Алфёров, Д. Бимберг, П. Вернер. ФТП, 33 (8), 990 (1999)
- N.N. Ledentsov, M.V. Maximov, D. Bimberg, T. Maka, C.M. Sotomayor Torres, I.V. Kochnev, I.L. Krestnikov, V.M. Lantratov, N.A. Cherkashin, Yu.G. Musikhin, Zh.I. Alferov. Semicond Sci. Technol., 15 (6), 604 (2000)
- J.M. Jerard, O. Cabrol, B. Sermage. Appl. Phys. Lett., 68, 3123 (1996)
- K.K. Linder, J. Phillips, O. Qasaimeh, X.F. Liu, S. Krishna, P. Bhattacharya, J.C. Jiang. Appl. Phys. Lett., 74, 1355 (1999)
- L. A. Graham, D.L. Huffaker, D.G. Deppe. Appl. Phys. Lett., 74, 2408 (1999)
- L.V. Asryan, R.A. Suris. Semicond Sci. Technol., 11 (4), 554 (1996).
- M.V. Maximov, L.V. Asryan, Yu.M. Shernyakov, A.F. Tsatsul'nikov, I.N. Kaiander, V.V. Nikolaev, A.R. Kovsh, S.S. Mikhrin, V.M. Ustinov, A.E. Zhukov, Zh.I. Alferov, N.N. Ledentsov, D. Bimberg. IEEE J. Quant. Electron., 37 (5), 676 (2001).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
