Расчет термоэлектрической эффективности многослойных структур с квантовыми ямами в случае полярного рассеяния носителей на оптических фононах
Пшенай-Северин Д.А.1, Равич Ю.И.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 21 января 2004 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2004 г.
Произведен расчет повышения термоэлектрической добротности в слоистой структуре с квантовыми ямами при полярном рассеянии носителей тока оптическими фононами. На основе выполненных ранее и новых расчетов для различных механизмов рассеяния сделан вывод, что увеличение добротности вследствие размерного квантования электронов возможно лишь при условии, что вероятность рассеяния носителей убывает при увеличении переданного волнового вектора.
- L.D. Hicks, M.S. Dresselhaus. Phys. Rev. B, 47, 12 727 (1993)
- L.D. Hicks, M.S. Dresselhaus. Phys. Rev. B, 47, 16 631 (1993)
- L.D. Hicks, T.C. Harman, M.S. Dresselhaus. Appl. Phys. Lett., 63, 3230 (1993)
- D.A. Broido, T.L. Reinecke. Appl. Phys. Lett., 67, 1170 (1995)
- D.A. Broido, T.L. Reinecke. Phys. Rev. B, 51, 13 797 (1995)
- T.L. Reinecke, D.A. Broido. Proc. Mater. Res. Soc. Symp., 487, 161 (1997)
- I. Sur, A. Casian, A.A. Balandin, Z. Dashevsky, V. Kantser, H. Scherrer. Proc. 21st Int. Conf. on Thermoelectrics (Long Beach, CA, USA, 2002) p. 288
- Д.А. Пшенай-Северин, Ю.И. Равич. ФТП, 36, 974 (2002)
- А.И. Ансельм. Введение в теорию полупроводников (М., Наука, 1978)
- L. Friedman. Phys. Rev. B, 32, 955 (1985)
- T. Koga, O.A. Rabin, M.S. Dresselhaus. Phys. Rev. B, 62, 16 703 (2000)
- A. Balandin. Phys. Low-Dim. Structur., 5/6, 73 (2000)
- A. Khitun, K.L. Wang. Phys. Low-Dim. Structur., 5/6, 11 (2000)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.