Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Фотомодуляционная оптическая спектроскопия варизонных гетероструктур CdHgTe

DOI: 10.61011/FTP.2023.06.56469.33k

Комков О.С.

¹, Якушев М.В.

¹Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия St. Petersburg State Electrotechnical University “LETI", St. Petersburg, Russia

St. Petersburg State Electrotechnical University “LETI", St. Petersburg, Russia

²Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Email: okomkov@yahoo.com

Поступила в редакцию: 24 августа 2023 г.

В окончательной редакции: 1 сентября 2023 г.

Принята к печати: 1 сентября 2023 г.

Выставление онлайн: 22 октября 2023 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Методом инфракрасного фотоотражения измерены многослойные фотоприемные гетероструктуры кадмий-ртуть-теллур, выращенные методом молекулярно-лучевой эпитаксии на Si- и GaAs-подложках. По периоду наблюдаемых в спектрах осцилляций Франца-Келдыша бесконтактно определена напряженность встроенного интерфейсного электрического поля вблизи гетерограницы "рабочий слой - варизонный приповерхностный слой". Аналитический расчет распределения этого поля по глубине структуры показал область формирования фотомодуляционного сигнала. Экспериментально полученные значения полей оказались выше расчетных, что объясняется влиянием фотоэдс. Ключевые слова: фотоотражение, кадмий-ртуть-теллур, CdHgTe, встроенное электрическое поле, фурье-спектроскопия, осцилляции Франца-Келдыша.

О.С. Комков. ФТТ, 63 (8), 991 (2021)
В.Н. Овсюк, Г.Л. Курышев, Ю.Г. Сидоров, В.В. Базовкин. Матричные фотоприемные устройства инфракрасного диапазон (Новосибирск, Наука, 2001)
Т.Е. Ковалевская, В.Н. Овсюк. Автометрия, 40 (4), 57 (2004)
M.S. Ruzhevich, K.D. Mynbaev. Rev. Adv. Mater. Technol., 2 (4), 47 (2020)
M.S. Ruzhevich, K.D. Mynbaev. Rev. Adv. Mater. Technol., 4 (4), 17 (2022)
K. Murawski, M. Kopytko, P. Madejczyk, K. Majkowycz, P. Martyniuk. Metrol. Meas. Syst., 30 (1), 183 (2023)
M.Yu. Chernov, V.A. Solov'ev, O.S. Komkov, D.D. Firsov, A.D. Andreev, A.A. Sitnikova, S.V. Ivanov. J. Appl. Phys., 127 (12), 125706 (2020)
D.D. Firsov, A.I. Luferau, D.V. Kolyada, M.Yu. Chernov, V.A. Solov'ev, A.D. Andreev, O.S. Komkov. J. Opt. Soc. Amer. B, 40 (2), 381 (2023)
О.С. Комков, Р.В. Докичев, А.В. Кудрин, Ю.А. Данилов. Письма ЖТФ, 39 (22), 56 (2013)
J. Shao, L. Chen, X. Lu, W. Lu, L. He, Sh. Guo, J. Chu. Appl. Phys. Lett., 95 (4), 041908 (2009)
X. Chen, J. Jung, Zh. Qi, Liangqing Zhu, S. Park, Liang Zhu, E. Yoon, J. Shao. Optics Lett., 40 (22), 5295 (2015)
J. Shao, X. Lu, Sh. Guo, W. Lu, L. Chen, Y. Wei, J. Yang, L. He, J. Chu. Phys. Rev. B, 80 (15), 155125 (2009)
Ю.Г. Сидоров, С.А. Дворецкий, В.С. Варавин, Н.Н. Михайлов, М.В. Якушев, И.В. Сабинина. ФТП, 35 (9), 1092 (2001)
М.В. Якушев. Автореф. докт. дис. (Новосибирск, ИФП СО РАН, 2011)
К.К. Свиташев, В.А. Швец, А.С. Мардежов, С.А. Дворецкий, Ю.Г. Сидоров, Е.В. Спесивцев, С.В. Рыхлицкий, С.И. Чикичев, Д.Н. Придачин. Автометрия, 4, 100 (1996)
Д.Д. Фирсов, О.С. Комков. Письма ЖТФ, 39 (23), 87 (2013)
В.Н. Овсюк. Электронные процессы в полупроводниках с областями пространственного заряда (Новосибирск, Наука, 1984)
О.С. Комков. Расчет полупроводниковых гетеропереходов (СПб., Изд-во СПбГЭТУ "ЛЭТИ", 2018)
А.В. Войцеховский, Д.И. Горн, И.И. Ижнин, А.И. Ижнин, В.Д. Гольдин, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий, Ю.Г. Сидоров, М.В. Якушев, В.С. Варавин. Изв. вузов. Физика, 55 (8), 50 (2012)
G.L. Hansen, J.L. Schmidt, T.N. Casselman. J. Appl. Phys., 53 (10), 7099 (1982)
A. Rogalski. Rep. Progr. Phys., 68 (10), 2267 (2005)
N. Kallergi, B. Roughani, J. Aubel, S. Sundaram. J. Appl. Phys., 68 (9), 4656 (1990)
О.С. Комков, Д.Д. Фирсов, Е.А. Ковалишина, А.С. Петров. Изв. вузов. Матер. электрон. техн., 3, 194 (2014)
А.Н. Пихтин, О.С. Комков, К.В. Базаров. ФТП, 40 (5), 608 (2006)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель