Фотомодуляционная оптическая спектроскопия варизонных гетероструктур CdHgTe
Комков О.С.
1, Якушев М.В.
21Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Email: okomkov@yahoo.com
Поступила в редакцию: 24 августа 2023 г.
В окончательной редакции: 1 сентября 2023 г.
Принята к печати: 1 сентября 2023 г.
Выставление онлайн: 22 октября 2023 г.
Методом инфракрасного фотоотражения измерены многослойные фотоприемные гетероструктуры кадмий-ртуть-теллур, выращенные методом молекулярно-лучевой эпитаксии на Si- и GaAs-подложках. По периоду наблюдаемых в спектрах осцилляций Франца-Келдыша бесконтактно определена напряженность встроенного интерфейсного электрического поля вблизи гетерограницы "рабочий слой - варизонный приповерхностный слой". Аналитический расчет распределения этого поля по глубине структуры показал область формирования фотомодуляционного сигнала. Экспериментально полученные значения полей оказались выше расчетных, что объясняется влиянием фотоэдс. Ключевые слова: фотоотражение, кадмий-ртуть-теллур, CdHgTe, встроенное электрическое поле, фурье-спектроскопия, осцилляции Франца-Келдыша.
- О.С. Комков. ФТТ, 63 (8), 991 (2021)
- В.Н. Овсюк, Г.Л. Курышев, Ю.Г. Сидоров, В.В. Базовкин. Матричные фотоприемные устройства инфракрасного диапазон (Новосибирск, Наука, 2001)
- Т.Е. Ковалевская, В.Н. Овсюк. Автометрия, 40 (4), 57 (2004)
- M.S. Ruzhevich, K.D. Mynbaev. Rev. Adv. Mater. Technol., 2 (4), 47 (2020)
- M.S. Ruzhevich, K.D. Mynbaev. Rev. Adv. Mater. Technol., 4 (4), 17 (2022)
- K. Murawski, M. Kopytko, P. Madejczyk, K. Majkowycz, P. Martyniuk. Metrol. Meas. Syst., 30 (1), 183 (2023)
- M.Yu. Chernov, V.A. Solov'ev, O.S. Komkov, D.D. Firsov, A.D. Andreev, A.A. Sitnikova, S.V. Ivanov. J. Appl. Phys., 127 (12), 125706 (2020)
- D.D. Firsov, A.I. Luferau, D.V. Kolyada, M.Yu. Chernov, V.A. Solov'ev, A.D. Andreev, O.S. Komkov. J. Opt. Soc. Amer. B, 40 (2), 381 (2023)
- О.С. Комков, Р.В. Докичев, А.В. Кудрин, Ю.А. Данилов. Письма ЖТФ, 39 (22), 56 (2013)
- J. Shao, L. Chen, X. Lu, W. Lu, L. He, Sh. Guo, J. Chu. Appl. Phys. Lett., 95 (4), 041908 (2009)
- X. Chen, J. Jung, Zh. Qi, Liangqing Zhu, S. Park, Liang Zhu, E. Yoon, J. Shao. Optics Lett., 40 (22), 5295 (2015)
- J. Shao, X. Lu, Sh. Guo, W. Lu, L. Chen, Y. Wei, J. Yang, L. He, J. Chu. Phys. Rev. B, 80 (15), 155125 (2009)
- Ю.Г. Сидоров, С.А. Дворецкий, В.С. Варавин, Н.Н. Михайлов, М.В. Якушев, И.В. Сабинина. ФТП, 35 (9), 1092 (2001)
- М.В. Якушев. Автореф. докт. дис. (Новосибирск, ИФП СО РАН, 2011)
- К.К. Свиташев, В.А. Швец, А.С. Мардежов, С.А. Дворецкий, Ю.Г. Сидоров, Е.В. Спесивцев, С.В. Рыхлицкий, С.И. Чикичев, Д.Н. Придачин. Автометрия, 4, 100 (1996)
- Д.Д. Фирсов, О.С. Комков. Письма ЖТФ, 39 (23), 87 (2013)
- В.Н. Овсюк. Электронные процессы в полупроводниках с областями пространственного заряда (Новосибирск, Наука, 1984)
- О.С. Комков. Расчет полупроводниковых гетеропереходов (СПб., Изд-во СПбГЭТУ "ЛЭТИ", 2018)
- А.В. Войцеховский, Д.И. Горн, И.И. Ижнин, А.И. Ижнин, В.Д. Гольдин, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий, Ю.Г. Сидоров, М.В. Якушев, В.С. Варавин. Изв. вузов. Физика, 55 (8), 50 (2012)
- G.L. Hansen, J.L. Schmidt, T.N. Casselman. J. Appl. Phys., 53 (10), 7099 (1982)
- A. Rogalski. Rep. Progr. Phys., 68 (10), 2267 (2005)
- N. Kallergi, B. Roughani, J. Aubel, S. Sundaram. J. Appl. Phys., 68 (9), 4656 (1990)
- О.С. Комков, Д.Д. Фирсов, Е.А. Ковалишина, А.С. Петров. Изв. вузов. Матер. электрон. техн., 3, 194 (2014)
- А.Н. Пихтин, О.С. Комков, К.В. Базаров. ФТП, 40 (5), 608 (2006)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
