Вышедшие номера
Фотоэлектрические свойства структур ZnO/CuPc/Si
Ильчук Г.А.1, Никитин С.Е.1, Николаев Ю.А.1, Рудь В.Ю.2, Рудь Ю.В.1, Теруков Е.И.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 12 апреля 2004 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2004 г.

Методами вакуумного термического напыления слоев фталоцианина меди CuPc на поверхность пластин n- и p-Si, а затем магнетронного осаждения слоев ZnO : Al на поверхность CuPc получены структуры n-ZnO : Al / CuPc/n(p)Si. Показано, что в спектральной области 1.65-3.3 эВ полученные структуры обнаруживают высокую фоточувствительность (~ 80 В/Вт при T=300 K). Обсуждаются выпрямление и фотовольтаический эффект полученных структур в связи со свойствами кремниевых подложек. Сделан вывод о перспективах применения контакта фталоцианина с алмазоподобными полупроводниками (на примере Si) в качестве широкополосных высокоэффективных фотопреобразователей.