Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние сероводорода на фотоэлектрические характеристики изотипных гетероструктур Al-n-Si-SnO2:Cu-Ag
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 12 мая 2004 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2004 г.
Исследованы электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур Al-n-Si-SnO2 : Cu-Ag. Установлено, что токоперенос в данной структуре обусловлен двойной инжекцией носителей заряда в диффузионном приближении. При экспонировании гетероструктуры в газовой смеси 1%-H2S/N2 наблюдался прирост величины фототока на 35%. На воздухе исходные значения фототока восстанавливались. Времена нарастания и спада фотосигнала сравнительно невелики - 1 и 3 мин соответственно.
- W. Gopel. Progr. Surf. Sci., 20, 9 (1985)
- Solid State Gas Sensors, ed. by P.T. Moseley, B.C. Tofield (Bristol--Philadelphia, Hilger, 1987) p. 51
- С.В. Слободчиков, Е.В. Руссу, Э.В. Иванов, Ю.Г. Малинин, Х.М. Салихов. ФТП, 38 (10), 1234 (2004)
- Э.И. Адирович, П.М. Карагеоргий-Алкалаев, А.Ю. Лейдерман. В кн.: Токи двойной инжекции в полупроводниках, под ред. Е.И. Гальперина (М., Сов. радио, 1978) гл. 2, с. 55
- М. Ламперт, П. Марк. Инжекционные токи в твердых телах (М., Мир, 1973) гл. 13, с. 289
- Г.Г. Ковалевская, Л. Кратена, М.М. Мередов, А.М. Маринова, С.В. Слободчиков. Письма ЖТФ, 15 (12), 55 (1989)
- Б.А. Акимов, А.В. Албул, А.М. Гаськов, В.Ю. Ильин, М. Лабо, М.Н. Румянцева, Л.И. Рябова. ФТП, 31 (4), 400 (1997).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
