Вышедшие номера
Влияние сероводорода на фотоэлектрические характеристики изотипных гетероструктур Al-n-Si-SnO2:Cu-Ag
Слободчиков С.В.1, Руссу Е.В.1, Иванов Э.В.1, Малинин Ю.Г.1, Салихов Х.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 12 мая 2004 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2004 г.

Исследованы электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур Al-n-Si-SnO2 : Cu-Ag. Установлено, что токоперенос в данной структуре обусловлен двойной инжекцией носителей заряда в диффузионном приближении. При экспонировании гетероструктуры в газовой смеси 1%-H2S/N2 наблюдался прирост величины фототока на 35%. На воздухе исходные значения фототока восстанавливались. Времена нарастания и спада фотосигнала сравнительно невелики - 1 и 3 мин соответственно.