Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2023, выпуск 7 » Статья стр. 538
<<<>>>
Эпитаксиальные гетероструктуры активной области светодиодов ближнего инфракрасного диапазона
DOI: 10.61011/FTP.2023.07.56785.5169C
Салий Р.А. 1, Минтаиров С.А. 1, Надточий А.М.1, Калюжный Н.А. 1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: r.saliy@mail.ioffe.ru, mintairov@scell.ioffe.ru, nickk@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 17 мая 2023 г.
В окончательной редакции: 3 июля 2023 г.
Принята к печати: 30 октября 2023 г.
Выставление онлайн: 8 декабря 2023 г.
PDF версия
Исследовано влияние компенсирующих слоев AlGaAsP, GaAsP и AlGaAs/GaAsP на оптическое качество активной области на основе InGaAs/GaAs-квантовых ям для светодиодов, излучающих на длине волны 940 нм. Методом металлоорганической газофазной эпитаксии выращены гетероструктуры с множественными квантовыми ямами с применением различных подходов к компенсации структурных напряжений. Продемонстрировано увеличение интенсивности фотолюминесценции более чем на 32% при использовании AlGaAs/GaAsP-компенсирующих слоев. Ключевые слова: квантовые ямы, светодиоды, InGaAs, эпитаксия, гетероструктуры.
  1. M. Vasilopoulou, A. Fakharuddin, F. Pelayo Garci a de Arquer, D.G. Georgiadou, H. Kim, A.R. M. Yusoff, F. Gao, M.K. Nazeruddin, H.J. Bolink, E.H. Sargent. Nature Photonics, 15, 656 (2021). DOI: 10.1038/s41566-021-00855-2
  2. H.-J. Lee, G.-H. Park, J.-S. So, C.-H. Lee, J.-H. Kim, L.-K. Kwac. Infr. Phys. Technol., 118, (2021). DOI: 10.1016/j.infrared.2021.103879
  3. А.В. Малевская, Н.А. Калюжный, Д.А. Малевский, С.А. Минтаиров, А.М. Надточий, М.В. Нахимович, Ф.Ю. Солдатенков, М.З. Шварц, В.М. Андреев. ФТП, 55 (8), 686 (2021). [A.V. Malevskaya, N.A. Kalyuzhnyy, D.A. Malevskii, S.A. Mintairov, A.M. Nadtochiy, M.V. Nakhimovich, F.Y. Soldatenkov, M.Z. Shvarts, V.M. Andreev, Semiconductors, 55 (8), 686 (2021)]. DOI: 10.61011/FTP.2023.07.56785.5169C
  4. S.-D. Kim, H. Lee, J.S. Harris. J. Electrochem. Soc., 142 (5), 1667 (1995). DOI: 10.1149/1.2048636
  5. Y. Yu, X. Qin, B. Huang, J. Weia, H. Zhou, J. Pan, W. Chen, Yun Qi, X. Zhang, Z. Ren. Vacuum, 69, 489 (2003). DOI: 10.1016/S0042-207X(02)00560-2
  6. D.-K. Kim, H.-J. Lee. J. Nanosci. Nanotechnol., 18 (3), 2014 (2018). DOI: 10.1166/jnn.2018.14952
  7. D.P. Xu, M. D'Souza, J.C. Shin, L.J. Mawst, D. Botez. J. Cryst. Growth, 310, 2370 (2008). DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2007.11.218
  8. C.G. Van de Walle. Phys. Rev., 39 (3), 1871 (1989). DOI: 10.1103/PhysRevB.39.1871
  9. M.E. Rudinsky, S.Yu. Karpov, H. Lipsanen, A.E. Romanov. Mat. Phys. \& Mechanics, 24 (3), 278 (2015). DOI: 10.1134/S1063782613090054
  10. L. Redaelli, A. Mukhtarova, S. Valdueza-Felip, A. Ajay, C. Bougerol, C. Himwas, J. Faure-Vincent, C. Durand, J. Eymery, E. Monroy. Appl. Phys. Lett., 105 (13), 131105 (2014). DOI: 10.1063/1.4896679
  11. N.J. Ekins-Daukes, K. Kawaguchi, J. Zhang. Cryst. Growth Des., 2 (4), 287 (2002). DOI: 10.1021/cg025502y
  12. C.G. Bailey, S.M. Hubbard, D.V. Forbes, R.P. Raffaelle. Appl. Phys. Lett., 95 (20), 203110 (2009). DOI: 10.1063/1.3264967
  13. W.-C. An, H.-G. Kim, L.-K. Kwac, J.-S. So, H.-J. Lee. J. Nanosci. Nanotechnol., 19, 2224 (2019). DOI: 10.1166/jnn.2019.15974

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme