Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2023, выпуск 7 » Статья стр. 546
<<<>>>
Анализ механических напряжений в гетероструктурах на основе GaN на кремниевых подложках
DOI: 10.61011/FTP.2023.07.56787.5196C
Артеев Д.С.1, Сахаров А.В. 1, Заварин Е.Е. 1, Николаев А.Е. 1, Яговкина М.А. 1, Цацульников А.Ф. 2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Email: ArteevDS@mail.ioffe.ru, Val@beam.ioffe.ru, Ezavarin@mail.ioffe.ru, aen@mail.ioffe.ru, Ymasha@mail.ioffe.ru, Andrew@beam.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 19 мая 2023 г.
В окончательной редакции: 1 августа 2023 г.
Принята к печати: 30 октября 2023 г.
Выставление онлайн: 8 декабря 2023 г.
PDF версия
На основании данных in situ рефлекто-/дефлектометрии были исследованы упругие напряжения в слоях AlN на подложках кремния различной толщины, а также в многослойных (Al,Ga)N-структурах, выращенных на виртуальных подложках AlN/Si. Установлено, что в процессе роста AlN возникают напряжения растяжения, величина которых тем больше, чем толще подложка. В процессе роста многослойных структур (Al,Ga)N со ступенчато уменьшающимся содержанием Al все слои испытывают напряжения сжатия, которые уменьшаются по направлению к поверхности. При постростовом охлаждении структур до комнатной температуры часть нижних слоев AlGaN остается полностью в сжатом состоянии, а часть испытывает как напряжения сжатия (в нижней части слоя), так и растяжения (в верхней части слоя). Ключевые слова: нитрид галлия, кремний, кривизна, упругие напряжения.
  1. J. Khurgin, Y.J. Ding, D. Jena. Appl. Phys. Lett., 91, 252104 (2007). DOI: 10.1063/1.2824872
  2. V.A. Dmitriev, K.G. Irvine, C.H. Carter, N.I. Kuznetsov, E.V. Kalinina. Appl. Phys. Lett., 68, 229 (1996). DOI: 10.1063/1.116469
  3. L. Yang, X. Wang, T. Wang, J. Wang, W. Zhang, P. Quach, P. Wang, F. Liu, D. Li, L. Chen, S. Liu, J. Wei, X. Yang, F. Xu, N. Tang, W. Tan, J. Zhang, W. Ge, X. Wu, C. Zhang, B. Shen. Adv. Funct. Mater., 30, 2004450 (2020). DOI: 10.1002/adfm.202004450
  4. C.-T. Ma, Z.-H. Gu. Electronics, 8, 1401 (2019). DOI: 10.3390/electronics8121401
  5. M. Haziq, S. Falina, A.A. Manaf, H. Kawarada, M. Syamsul. Micromachines, 13, 2133 (2022). DOI: 10.3390/mi13122133
  6. Silicon Wafer 18inch Double Sided Polish P110 1~50Ω. URL: https://www.fuledalink.com/products/18inch-silicon- wafer-dsp (accessed May 16, 2023)
  7. S. Tripathy, V.K.X. Lin, S.B. Dolmanan, J.P.Y. Tan, R.S. Kajen, L.K. Bera, S.L. Teo, M.K. Kumar, S. Arulkumaran, G.I. Ng, S. Vicknesh, S. Todd, W.Z. Wang, G.Q. Lo, H. Li, D. Lee, S. Han. Appl. Phys. Lett., 101, 082110 (2012). DOI: 10.1063/1.4746751
  8. Y. Dai, S. Li, H. Gao, W. Wang, Q. Sun, Q. Peng, C. Gui, Z. Qian, S. Liu. J. Mater. Sci. Mater. Electron., 27, 2004 (2016). DOI: 10.1007/s10854-015-3984-1
  9. S. Raghavan, J.M. Redwing. J. Cryst. Growth, 261, 294 (2004). DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2003.11.020
  10. D.S. Zolotukhin, D.V. Nechaev, S.V. Ivanov, V.N. Zhmerik. Techn. Phys. Lett., 43, 262 (2017). DOI: 10.1134/S1063785017030130
  11. J.A. Floro, E. Chason, R.C. Cammarata, D.J. Srolovitz. MRS Bulletin, 27, 19 (2002). DOI: 10.1557/mrs2002.15
  12. B.W. Sheldon, A. Rajamani, A. Bhandari, E. Chason, S.K. Hong, R. Beresford. J. Appl. Phys., 98, 043509 (2005). DOI: 10.1063/1.1994944
  13. В.В. Лундин, А.В. Сахаров, Е.Е. Заварин, Д.А. Закгейм, Е.Ю. Лундина, П.Н. Брунков, А.Ф. Цацульников. Письма ЖТФ, 45, 36 (2019). DOI: 10.21883/PJTF.2019.14.48022.17738
  14. D.S. Arteev, A.V. Sakharov, W.V. Lundin, E.E. Zavarin, D.A. Zakheim, A.F. Tsatsulnikov, M.I. Gindina, P.N. Brunkov. J. Phys.: Conf. Ser., 1697, 012206 (2020). DOI: 10.1088/1742-6596/1697/1/012206
  15. D.S. Arteev, A.V. Sakharov, W.V. Lundin, E.E. Zavarin, A.E. Nikolaev, A.F. Tsatsulnikov, V.M. Ustinov. Materials, 15, 8945 (2022). DOI: 10.3390/ma15248945
  16. A.V. Sakharov, D.S. Arteev, E.E. Zavarin, A.E. Nikolaev, W.V. Lundin, N.D. Prasolov, M.A. Yagovkina, A.F. Tsatsulnikov, S.D. Fedotov, E.M. Sokolov, V.N. Statsenko. Materials, 16, 4265 (2023). DOI: 10.3390/ma16124265
  17. A. Krost, A. Dadgar, G. Strassburger, R. Clos. Phys. Status Solidi A, 200, 26 (2003). DOI: 10.1002/pssa.200303428
  18. S. Raghavan, I.C. Manning, X. Weng, J.M. Redwing. J. Cryst. Growth, 359, 35 (2012). DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2012.08.020
  19. M.E. Rudinsky, E.V. Yakovlev, W.V. Lundin, A.V. Sakharov, E.E. Zavarin, A.F. Tsatsulnikov, L.E. Velikovskiy. Phys. Status Solidi A, 213, 2759 (2016). DOI: 10.1002/pssa.201600210

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme