Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Двухподзонный магнетотранспорт в одиночной GaAs-квантовой яме с модулированным сверхрешеточным легированием

DOI: 10.61011/FTP.2023.07.56795.5510

Быков А.А.¹, Номоконов Д.В.¹, Стрыгин И.С.¹, Марчишин И.В.¹, Бакаров А.К.¹

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Email: nomokonov@isp.nsc.ru

Поступила в редакцию: 22 августа 2023 г.

В окончательной редакции: 2 октября 2023 г.

Принята к печати: 2 октября 2023 г.

Выставление онлайн: 8 декабря 2023 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследован двухподзонный магнетотранспорт квазидвумерного электронного газа в одиночной GaAs-квантовой яме с модулированным сверхрешеточным легированием при температуре 4.2 K в магнитных полях до 2 Тл. Показано, что изучаемая двухподзонная система при помощи внешнего затвора переходит в одноподзонную. Этот переход сопровождается появлением положительного магнетосопротивления, которое описывается известной моделью классического двухподзонного транспорта с учетом упругого межподзонного рассеяния электронов. Совместный анализ классического положительного магнетосопротивления и амплитуды квантовых магнето-межподзонных осцилляций дает возможность определить величины транспортных скоростей релаксации для внутриподзонного рассеяния и одночастичной скорости релаксации для межподзонного рассеяния. Ключевые слова: квазидвумерный электронный газ, положительное магнетосопротивление, двухподзонная система, магнето-межподзонные осцилляции.

H. Stormer, R. Dingle, A. Gossard, W. Wiegmann, M. Sturge. Solid State Commun., 29, 705 (1979)
H. Stormer, A. Gossard, W. Wiegmann. Solid State Commun., 41, 707 (1982)
H. van Houten, J.G. Williamson, M.E.I. Broekaart, C.T. Foxon, J.J. Harris. Phys. Rev. B, 37, 2756 (1988)
T.P. Smith III, F.F. Fang. Phys. Rev. B, 37, 4303 (1988)
P.T. Coleridge. Semicond. Sci. Technol., 5, 961 (1990)
D.R. Leadley, R. Fletcher, R.J. Nicholas, F. Tao, C.T. Foxon, J.J. Harris. Phys. Rev. B, 46, 12439 (1992)
S. Mori, T. Ando. Phys. Rev. B, 19, 6433 (1979)
V.M. Polyanovskii. Fiz. Tekh. Poluprov., 22, 2230 (1988). [Sov. Phys. Semicond., 22, 1408 (1988)]
E. Zaremba. Phys. Rev. B, 45, 14143 (1992)
R. Fletcher, M. Tsaousidou, T. Smith, P.T. Coleridge, Z.R. Wasilewski, Y. Feng. Phys. Rev. B, 71, 155310 (2005)
N.C. Mamani, G.M. Gusev, E.C.F. da Silva, O.E. Raichev, A.A. Quivy, A.K. Bakarov. Phys. Rev. B, 80, 085304 (2009)
K.-J. Friedland, R. Hey, H. Kostial, R. Klann, K. Ploog. Phys. Rev. Lett., 77, 4616 (1996)
A.V. Goran, A.A. Bykov, A.I. Toropov, S.A. Vitkalov. Phys. Rev. B, 80, 193305 (2009)
A.A. Bykov, I.S. Strygin, A.V. Goran, D.V. Nomokonov, A.K. Bakarov. JETP Lett., 112, 437 (2020)
А.А. Быков, Д.В. Номоконов, А.В. Горан, И.С. Стрыгин, И.В. Марчишин, А.К. Бакаров. ФТП, 57, 181 (2023)
M.E. Raikh, T.V. Shahbazyan. Phys. Rev. B, 49, 5531 (1994)
N.S. Averkiev, L.E. Golub, S.A. Tarasenko, M. Willander. J. Phys.: Condens. Matter, 13, 2517 (2001)
O.E. Raichev. Phys. Rev. B, 78, 125304 (2008)
M. Sammon, M.A. Zudov, B.I. Shklovskii. Phys. Rev. Mater., 2, 064604 (2018)
D.G. Polyakov, F. Evers, A.D. Mirlin, P. Wolfle. Phys. Rev. B, 64, 205306 (2001)
M.G. Vavilov, I.L. Aleiner. Phys. Rev. B, 69, 035303 (2004)
S. Dietrich, S. Vitkalov, D.V. Dmitriev, A.A. Bykov. Phys. Rev. B, 85, 115312 (2012)
A.A. Bykov, A.V. Goran, S.A. Vitkalov. Phys. Rev. B, 81, 155322 (2010)
O.E. Raichev. Phys. Rev. B, 81, 195301 (2010)
A.A. Bykov, D.V. Nomokonov, A.V. Goran, I.S. Strygin, A.K. Bakarov, S. Abedi, S.A. Vitkalov. JETP Lett., 114, 423 (2021)
A. Gold. Phys. Rev. B, 38, 10798 (1988)
I.A. Dmitriev, A.D. Mirlin, D.G. Polyakov, M.A. Zudov. Rev. Mod. Phys., 84, 1709 (2012)
J.H. Davies. The Physics of Low Dimensional Semiconductors (Cambridge University Press, N.Y., 1998)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель