Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Разработка технологии изготовления фотоприемников мощного лазерного излучения на длину волны 1.06 мкм

DOI: 10.61011/FTP.2023.07.56835.5339

Маричев А.Е.¹, Эполетов В.С.¹, Пушный Б.В.¹, Власов А.С.¹, Лихачев А.Е.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Email: Segregate1@yandex.ru, vadep@yandex.ru, pushnyi.vpegroup@mail.ioffe.ru

Поступила в редакцию: 21 июня 2023 г.

В окончательной редакции: 6 июля 2023 г.

Принята к печати: 12 сентября 2023 г.

Выставление онлайн: 8 декабря 2023 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Представлены конструкции и способ изготовления активной области фотоэлектрических преобразователей лазерного излучения. По результатам измерений выращенных образцов был достигнут кпд 34.5%. Предложена перспективная конструкция каскадного фотоэлектрического преобразователя лазерного излучения, в котором соединение каскадов выполнено с помощью каналов проводимости на основе микрокристаллитов GaP. Ключевые слова: фотоэлектрический преобразователь, лазерное излучение, туннельный диод, микрокристаллиты, фосфид индия.

T.P.P. Anand, R. Pandiarajan, P. Raju. Int. J. Mech. Eng. Res., 5 (1), 137 (2015)
M. Mori, H. Kagawa, Y. Saito. Acta Astronaut., 59 (1), 132 (2006)
L. Summerer, O. Purcell. Energy Systems Conf. paper on the Int. Conf. on Space Optical Systems and Applications (Tokyo, 2009). https://www.esa.int/gsp/ACT/doc/POW/ACT-RPR-NRG-2009-SPS-ICSOS-concepts-for-laser-WPT.pdf
Y.A. Abdel-Hadi. NRIAG J. Astron. Geophys., 9, 558 (2020)
K. Onabe. Jpn. J. Appl. Phys., 21 (5R), 797 (1982)
И.П. Ипатова, В.Г. Малышкин, А.Ю. Маслов, В.А. Щукин. ФТП, 27 (2), 285 (1993)
А.Е. Маричев, Р.В.Левин, А.Б. Гордеева, Г.С. Гагис, В.И. Кучинский, Б.В. Пушный, Н.Д. Прасолов, Н.М. Шмидт. Письма ЖТФ, 43 (2), 3 (2017)
А.Е. Маричев, В.П. Хвостиков. Тез. докл. 15 Всеросс. молодежной конф. по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике (Санкт-Петербург, 2013) с. 24
А.Е. Маричев. Автореф. канд. дис. Исследование твердых растворов InGaAsP для фотоэлектрических преобразователей лазерного излучения (СПб., ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, 2023)
O.N. Krokhin. Physics-Uspekhi, 49 (4), 425 (2006)
D. Masson, F. Proulxand, S. Fafard. Progr. Photovolt.: Res. Appl., 23, 1687 (2015)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель