Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Варизонность 2D слоев CdTe в фазе сфалерита и в фазе с граничными атомами халькогена
Российский научный фонд, 22-19-00766
1Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия 
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: agavrikov@herzen.spb.ru
Поступила в редакцию: 15 мая 2023 г.
В окончательной редакции: 5 августа 2023 г.
Принята к печати: 30 октября 2023 г.
Выставление онлайн: 30 декабря 2023 г.
Уменьшение толщины полупроводников до предела в несколько монослоев часто приводит к появлению новых свойств материала. Для пластин теллурида кадмия как в фазе сфалерита, так и в инвертированной фазе методом теории функционала плотности исследована зависимость ширины запрещенной зоны от их толщины. Для фазы сфалерита характерно чередование слоев Cd-Te-Cd-Te, тогда как в инвертированной фазе порядок следования слоев Te-Cd-Cd-Te. Показано, что при использовании пластин толщиной от одного до нескольких монослоев можно получать варизонные структуры. Ключевые слова: теллурид кадмия, 2D материалы, варизонность, монослой.
- K.F. Mak, C. Lee, J. Hone, J. Shan, T.F. Heinz. Phys. Rev. Lett., 105, 136805 (2010). DOI: 10.1103/PhysRevLett.105.136805
- A. Kolobov, J. Tominaga. Two-Dimensional Transition-Metal Dichalcogenides (Springer International Publishing, Cham, Switzerland, 2016) p. 355
- D.A. Bandurin, A.V. Tyurnina, G.L. Yu, A. Mishchenko, V. Zolyomi, S.V. Morozov, R.K. Kumar, R.V. Gorbachev, Z.R. Kudrynskyi, S. Pezzini, Z.D. Kovalyuk, U. Zeitler, K.S. Novoselov, A. Patan\`e, L. Eaves, I.V. Grigorieva, V.I. Faiko, A.K. Geim, Y. Cao. Nature Nanotechnol., 12, 223 (2017). DOI: 10.1038/nnano.2016.242
- H. Zhang, C.-X. Liu, X.-L. Qi, X. Dai, Z. Fang, S.-C. Zhang. Physics, 5, 438 (2009). DOI: 10.1038/nphys1270
- A.V. Kolobov, V.G. Kuznetsov, P. Fons, Y. Saito, D.I. Elets, B. Hyot. Phys. Status Solidi RRL, 15 (11), 2100358 (2021). DOI: 10.1002/pssr.202100358
- B.T. Diroll, B. Guzelturk, H. Po, C. Dabard, N. Fu, L. Makke, E. Lhuillier, S. Ithurria. Chem. Rev., 123 (7), 3543 (2023). DOI: 10.1021/acs.chemrev.2c00436
- R.B. Vasiliev, E.P. Lazareva, D.A. Karlova, A.V. Garshev, Y. Yao, T. Kuroda, A.M. Gaskov, K. Sakoda. Chem. Mater., 30 (5), 1710 (2018). DOI: 10.1021/acs.chemmater.7b05324
- R.B. Vasiliev, A.I. Lebedev, E.P. Lazareva, N.N. Shlenskaya, V.B. Zaytsev, A.G. Vitukhnovsky, Y. Yao, K. Sakoda. Phys. Rev. B, 95, 165414 (2017). DOI: 10.1103/PhysRevB.95.165414
- M.D. Segall, P.J.D. Lindan, M.J. Probert, C.J. Pickard, P.J. Hasnip, S.J. Clark, M.C. Payne. J. Phys. Condens. Matter, 14, 2717 (2002). DOI: 10.1088/0953-8984/14/11/301
- S.J. Clark, M.D. Segall, C.J. Pickard, P.J. Hasnip, M.I.J. Probert, K. Refson, M.C. Payne. Z. Krist. Cryst. Mater., 220, 567 (2005). DOI: 10.1524/zkri.220.5.567.65075
- J.P. Perdew, K. Burke, M. Ernzerhof. Phys. Rev. Lett., 77, 3865 (1996). DOI: 10.1103/PhysRevLett.77.3865
- S. Grimme. J. Comput. Chem., 27, 1787 (2006). DOI: 10.1002/jcc.20495
- J.P. Perdew. Int. J. Quant. Chem. 28, 497 (2009). DOI: 10.1002/qua.560280846
- J.P. Perdew, A. Zunger. Phys. Rev. B, 23, 5048 (1981). DOI: 10.1103/PhysRevB.23.5048
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
