Вышедшие номера
Варизонность 2D слоев CdTe в фазе сфалерита и в фазе с граничными атомами халькогена
Российский научный фонд, 22-19-00766
Гавриков А.А.1, Кузнецов В.Г.2,1, Колобов А.В.1
1Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: agavrikov@herzen.spb.ru
Поступила в редакцию: 15 мая 2023 г.
В окончательной редакции: 5 августа 2023 г.
Принята к печати: 30 октября 2023 г.
Выставление онлайн: 30 декабря 2023 г.

Уменьшение толщины полупроводников до предела в несколько монослоев часто приводит к появлению новых свойств материала. Для пластин теллурида кадмия как в фазе сфалерита, так и в инвертированной фазе методом теории функционала плотности исследована зависимость ширины запрещенной зоны от их толщины. Для фазы сфалерита характерно чередование слоев Cd-Te-Cd-Te, тогда как в инвертированной фазе порядок следования слоев Te-Cd-Cd-Te. Показано, что при использовании пластин толщиной от одного до нескольких монослоев можно получать варизонные структуры. Ключевые слова: теллурид кадмия, 2D материалы, варизонность, монослой.