Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2023, выпуск 8 » Статья стр. 678
<<<>>>
Сильноточные низковольтные ключи для импульсов нс-длительности на основе тиристорных гомо- и гетероструктур (Al)GaAs/GaAs
Слипченко С.О. 1, Подоскин А.А.1, Шушканов И.В.1, Крючков В.А.1, Ризаев А.Э.1, Кондратов М.И.1, Гришин А.Е.1, Пихтин Н.А.1, Багаев Т.А.1,2, Светогоров В.Н.2, Ладугин М.А.2, Мармалюк А.А.2, Симаков В.А.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2"НИИ "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха", Москва, Россия
Email: SergHPL@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 17 октября 2023 г.
В окончательной редакции: 3 ноября 2023 г.
Принята к печати: 3 ноября 2023 г.
Выставление онлайн: 30 декабря 2023 г.
PDF версия
Разработан ряд низковольтных тиристорных токовых ключей на основе гомо- и гетероструктур (Al)GaAs/GaAs с областью объемного заряда, сформированной в слабо легированном слое базы p-GaAs. Исследованы особенности переходных процессов в режиме генерации импульсов наносекундной длительности. Показано, что использование широкозонного барьера на основе AlGaAs на границе n-эмиттер/p-база позволяет снизить минимальную амплитуду тока управления с 30 до 3 мА, а время задержки включения может быть сокращено до 6 нс. Для разработанных тиристорных ключей было продемонстрировано минимальное время переходного процесса 3.7-3.9 нс при работе в контуре с конденсатором емкостью 1 нФ. В цепи с резистивной нагрузкой номиналом 1О м тиристорные ключи обеспечивали пиковый ток 17.5 А при длительности импульса 3.7 нс. Ключевые слова: гимотиристор, гетеротиристор, токовый ключ, импульс тока, гетероструктура AlGaAs/GaAs, полупроводниковая гомоструктура.
  1. A. Klehr, A. Liero, H. Christopher, H. Wenzel, A. Maab dorf, P. Della Casa, J. Fricke, A. Ginolas, A. Knigge. Semicond. Sci. Technol., 35, 065016 (2020). DOI: 10.1088/1361-6641/ab8397
  2. N. Ammouri, H. Christopher, J. Fricke, A. Ginolas, A. Liero, A. Maab dorf, H. Wenzel, A. Knigge. Electron. Lett., 59, e12680 (2023). DOI: 10.1049/ell2.12680
  3. I.A. Prudaev, S.N. Vainshtein, M.G. Verkholetov, V.L. Oleinik, V.V. Kopyev. IEEE Trans. Electron Dev., 68, 57 (2020). DOI: 10.1109/TED.2020.3039213
  4. S. Vainshtein, G. Duan, T. Rahkonen, Z. Taylor, V. Zemlyakov, V. Egorkin, T. Skotnicki, W. Knap. Results Phys., 19, 103509 (2020). DOI: 10.1016/j.rinp.2020.103509
  5. S. Vainshtein, V. Zemlyakov, V. Egorkin, A. Maslevtsov, A. Filimonov. IEEE Trans. Power Electron., 34, 3689 (2018). DOI: 10.1109/TPEL.2018.2853563
  6. S.O. Slipchenko, A.A. Podoskin, O.S. Soboleva, N.A. Pikhtin, T.A. Bagaev, M.A. Ladugin, A.A. Marmalyuk, V.A. Simakov, I.S. Tarasov. J. Appl. Phys., 121, 054502 (2017). DOI: 10.1063/1.4975411
  7. S.O. Slipchenko, A.A. Podoskin, O.S. Soboleva, N.A. Pikhtin, T.A. Bagaev, M.A. Ladugin, A.A. Marmalyuk, V.A. Simakov, I.S. Tarasov. Opt. Express, 24, 16500 (2016). DOI: 10.1364/OE.24.016500
  8. S.O. Slipchenko, A.A. Podoskin, O.S. Soboleva, D.A. Veselov, V.V. Zolotarev, N.A. Pikhtin, T.A. Bagaev, M.A. Ladugin, A.A. Marmalyuk, V.A. Simakov, I.S. Tarasov. IEEE Trans. Electron Dev., 63, 3154 (2016). DOI: 10.1109/TED.2016.2582700
  9. O.S. Soboleva, V.S. Golovin, V.S. Yuferev, P.S. Gavrina, N.A. Pikhtin, S.O. Slipchenko, A.A. Podoskin. Semiconductors, 54, 575 (2020). DOI: 10.1134/S1063782620050140
  10. S.O. Slipchenko, A.A. Podoskin, V.S. Golovin, M.G. Rastegaeva, N.V. Voronkova, N.A. Pikhtin, T.A. Bagaev, M.A. Ladugin, A.A. Marmalyuk, V.A. Simakov. IEEE Phot. Techn. Lett., 33 (1), 11 (2020). DOI: 10.1109/LPT.2020.3040026
  11. S.O. Slipchenko, A.A. Podoskin, V.V. Zolotarev, L.S. Vavilova, A.Yu. Leshko, M.G. Rastegaeva, I.V. Miroshnikov, I.S. Shashkin, N.A. Pikhtin, T.A. Bagaev, M.A. Ladugin, A.A. Padalitsa, A.A. Marmalyuk, V.A. Simakov. Bull. Lebedev Phys. Inst., 50, S527 (2023). DOI: 10.3103/S1068335623170141
  12. S. Slipchenko, A. Podoskin, O. Soboleva, N. Pikhtin, I. Tarasov, V. Yuferev. Proc. Physics and Simulation of Optoelectronic Devices XXIV (SPIE OPTO, San Francisco, California, US, 2016) 97420I. DOI: 10.1117/12.2212583

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme