Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Гетероэпитаксиальные слои Ge/Si(001), легированные в процессе HW CVD испарением примеси из сублимирующего Ge-источника

Russian Science Foundation, 22-22-00866

Титова А.М.¹, Шенгуров В.Г.¹, Денисов С.А.¹, Чалков В.Ю.¹, Зайцев А.В.¹, Алябина Н.А.¹, Кудрин А.В.¹, Здоровейщев А.В.¹

¹Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

Email: asya_titova95@mail.ru

Поступила в редакцию: 19 сентября 2023 г.

В окончательной редакции: 5 декабря 2023 г.

Принята к печати: 6 декабря 2023 г.

Выставление онлайн: 12 января 2024 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Гетероэпитаксиальные слои Ge/Si(001) были выращены методом HW CVD и in situ легированы Ga или Sb с использованием резистивно нагреваемого Ge-источника, содержащего одну из этих примесей. При сублимации германиевого источника получали концентрацию атомов галлия в слоях ~1·10¹⁹ см^-3. Режим внедрения этой примеси в эпитаксиальные слои был исследован в зависимости от температуры "горячей нити" (Ta) и температуры роста с использованием методов C-V-профилометрии и эффекта Холла. Для увеличения предельной концентрации носителей заряда в слоях Ge/Si(001) в процессе роста слоев на Ge-источнике формировали зону расплава, что позволило увеличить концентрацию примеси в слое Ge почти на порядок величины. Ключевые слова: гетероэпитаксиальные слои, испарение сублимацией, HW CVD, Si, Ge, n- и p-тип легирования.

K. Brunner. Rep. Progr. Phys., 65 (1), 27 (2002)
J. Liu, H.J. Kim, O. Hul'ko, Y.H. Xie, S. Sahni, P. Bandaru, E. Yablonovitch. J. Appl. Phys., 96 (1), 916 (2004)
T.K.P. Luong, M.T. Dau, M.A. Zrir, M. Stoffel, V. Le Thanh, M. Petit, A. Ghrib, M. El Kurdi, P. Boucaud, H. Rinnert, J. Murota. J. Appl. Phys., 114, 083504-1 (2013)
M. Halbwax, M. Rouviere, V. Zheng, D. Debarre, Lam H. Nguyen, J-L. Cercus, C. Clerc, V. Yam, S. Laval, E. Cassan, D. Bouchier. Optical Mater., 27 (5), 822 (2005)
B. Dutt, D.S. Sukhdeo, D. Nam, B.M. Vulovic, Z. Yuan, K.C. Saraswat. IEEE Photonics J., 4 (5), 2002 (2012)
V.G. Shengurov, V.Yu. Chalkov, S.A. Denisov, N.A. Alyabina, D.V. Guseinov, V.N. Trushin, A.P. Gorshkov, N.S. Volkova, M.M. Ivanova, A.V. Kruglov, D.O. Filatov. Phys. Semicond. Dev., 49 (10), 1411 (2015)
V.G. Shengurov, S.A. Denisov, V.Yu. Chalkov, V.N. Trushin, A.V. Zaitsev, D.S. Prokhorov, D.O. Filatov, A.V. Zdoroveishchev, M.V. Vedy, A.V. Kudrin, M.V. Dorokhin, Yu.N. Buzynin. Mater. Sci. Semicond. Processing, 100, 175(2019)
R. Pillarisetty. Nature, 479 (7373), 324 (2011)
B. Dutt, D.S. Sukhdeo, D. Nam, B.M. Vulovic, Z. Yuan, K.C. Saraswat. IEEE Photonics J., 4 (5), 2002 (2012)
S.L. Cheng, J. Lu, G. Shambat, H. Yu, K. Saraswat, J. Vuckovic, Y. Nishi. Opt. Express, 17 (12), 10019 (2009)
D.V. Yurasov, A.V. Antonov, M.N. Drozdov, P.A. Yunin, B.A. Andreev, P.A. Bushuykin, N.A. Baydakova, A.V. Novikov. J. Cryst. Growth, 491, 26 (2018)
Q. Lu, T.R. Bramblett, M.A. Hasan, N.E. Lee, J.E. Greene. J. Appl. Phys., 78, 6027 (1995)
H. Kim, J.E. Greene. J. Vacuum Sci. Technol. A, 17, 354 (1999)
В.М. Глазов, В.С. Земсков. Физико-химические основы легирования полупроводников (М., Наука, 1967)
В.Г. Шенгуров. Поверхность. Физика, химия, механика, 10, 44 (1994)
В.В. Постников, М.И. Овсянников, Р.Г. Логинова, Р.А. Рубцова, Т.Н. Сергиевская, В.А. Толомасов. ДАН СССР, 175 (4), 817 (1967)
В.П. Кузнецов, В.В. Постников. Кристаллография, 19 (2), 346 (1974)
В.Г. Шенгуров, С.П. Светлов, В.Ю. Чалков, Д.В. Шенгуров, С.А. Денисов. ФТП, 40 (2), 188 (2006)
Г.А. Куров. ФТТ, 3 (6), 1662 (1961)
V.G. Shengurov, S.A. Denisov, V.Yu. Chalkov, D.O. Filatov, A.V. Kudrin, S.M. Sychyov, V.N. Trushin, A.V. Zaitsev, A.M. Titova, N.A. Alyabina. Mater. Sci. Eng. B, 259, 114579 (2020)
А.Н. Несмеянов. Давление паров химических элементов (М., АН СССР, 1961)
Л.С. Палатник, И.И. Папиров. Эпитаксиальные пленки (М., Наука, 1971)
Y. Sakai, K. Takahashi. Jpn. J. Appl. Phys., 2 (10),629 (1963)
N. Ohtani, S. Mokler, M.H. Xie, JZJ Zhang, B. Joyce. Jpn. J. Appl. Phys., 33 (4), 2311 (1994)
S. Maruno, S. Fajita, H. Watanabe, Y. Kusumi, M. Ichikawa. Appl. Phys. Lett., 68 (16), 2213 (1996)
Б.И. Болтакс. Диффузия в полупроводниках (М., Физматгиз, 1961)
Б.С. Анисимов, Г.Ф. Лымарь, Л.Н. Немировский и др. В сб.: Процессы роста кристаллов и пленок полупроводников (Новосибирск, 1967)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель