Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Циклотронный резонанс в легированных и нелегированных гетероструктурах InAs / AlSb с квантовыми ямами
Алешкин В.Я.1, Гавриленко В.И.1, Иконников А.В.1, Садофьев Ю.Г.2, Bird J.P.2, Jonhson S.R.2, Zhang Y.-H.2
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия 
2Department of Electrical Engineering and Center for Solid State Electronic Research, Arizona State University, Tempe, AZ, USA
2Department of Electrical Engineering and Center for Solid State Electronic Research, Arizona State University, Tempe, AZ, USA
Поступила в редакцию: 1 июня 2004 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2004 г.
С помощью ламп обратной волны в диапазоне 150-700 ГГц исследованы спектры циклотронного резонанса в гетероструктурах AlSb / InAs / AlSb с квантовыми ямами с концентрацией двумерных электронов от 2.7·1011 до 8·1012 см-2 при 4.2 K. Обнаружено значительное возрастание циклотронной массы от 0.03m0 до 0.06m0 с ростом концентрации электронов (и соответственно энергии Ферми), что типично для полупроводников с непараболическим законом дисперсии. Полученные результаты удовлетворительно согласуются с теоретическими расчетами циклотронных масс на уровне Ферми в рамках упрощенной модели Кейна.
- G. Tuttle, H. Kroemer, J.H. English. J. Appl. Phys., 65, 5239 (1989)
- H. Kroemer, C. Nguyen, B. Brar. J. Vac. Sci. Technol., 10, 1769 (1992)
- C. Nguyen, B. Brar, C.R. Bolognesi, J.J. Pekarik, H. Kroemer, J.H. English. J. Electron. Mater., 22, 255 (1993)
- Ch. Gauer, J. Scriba, A. Wixforth, J.P. Kotthaus, C. Nguyen, G. Tuttle, J.H. English, H. Kroemer. Semicond. Sci. Technol., 8, S137 (1993)
- B.R. Bennett, M.J. Yang, B.V. Shanabrook, J.B. Boos, D. Park. Appl. Phys. Lett., 72, 1193 (1998)
- S. Brosig, K. Ensslin, B. Brar, M. Thomas, H. Kroemer. Physica E, 2, 214 (1998)
- M.J. Yang, K.A. Cheng, C.H. Yang, J.C. Culbertson. Appl. Phys. Lett., 80, 1201 (2002)
- M.J. Yang, P.J. Lin-Chung, R.J. Wagner, J.R. Waterman, W.J. Moore, B.V. Shanabrook. Semicond. Sci. Technol., 8, S129 (1993)
- J. Scriba, A. Wixforth, J.P. Kotthaus, C.R. Bolognesi, C. Nguyen, G. Tuttle, J.H. English, H. Kroemer. Semicond. Sci. Technol., 8, S133 (1993)
- M.J. Yang, P.J. Lin-Chung, B.V. Shanabrook, J.R. Waterman, R.J. Wagner, W.J. Moore. Phys. Rev. B, 47, 1691 (1993)
- C. Gauer, J. Scriba, A. Wixforth, J.P. Kotthaus, C.R. Bolognesi, C. Nguyen, B. Brar, H. Kroemer. Semicond. Sci. Technol., 9, 1580 (1994)
- Yu.G. Sadofyev, A. Ramamoorthy, B. Naser, J.P. Bird, S.R. Jonson, Y.-H. Zhang. Appl. Phys. Lett., 81, 1833 (2002)
- G. Tuttle, H. Kroemer, J.H. English. J. Appl. Phys., 67, 3032 (1990)
- G. Bastard. Wave mechanics applied to semiconductor heterostructures (Halsted Press, N. Y., 1988) p. 31--61
- В.Я. Алешкин, А.В. Аншон, Т.С. Бабушкина, Л.М. Батукова, Е.В. Демидов, Б.Н. Звонков, Т.С. Кунцевич, И.Г. Малкина, Т.Н. Янькова. ФТП, 26, 516 (1992)
- I. Prevot, B. Vinter, F.H. Julien, F. Fossard, X. Marcadet. Phys. Rev. B, 64, 195 318 (2001)
- D.C. Larrabee, G.A. Khodaparast, J. Kono, K. Ueda, Y. Nakajima, M. Nakai, S. Sasa, M. Inoue, K.I. Kolokolov, J. Li, C.Z. Ning. Appl. Phys. Lett., 83, 3936 (2003)
- A. Furukawa, S. Ideshita. J. Appl. Phys., 75, 5012 (1994)
- D.J. Chadi. Phys. Rev. B, 47, 13 478 (1993)
- J. Shen, J.D. Dow, S.Yu. Ren, S. Tehrani, H. Goronkin. J. Appl. Phys., 73, 8313 (1993)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
