Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Рассеяние носителей заряда на границах кристаллитов в пленках поликристаллического кремния

Гридчин В.А.¹, Любимский В.М.¹, Моисеев А.Г.¹

¹Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия Novosibirsk State Technical University, Novosibirsk, Russia

Поступила в редакцию: 4 марта 2004 г.

Выставление онлайн: 20 января 2005 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

-1 Рассмотрено рассеяние носителей заряда на потенциальных барьерах границ зерен в пленках поликристаллического кремния. Анализируется влияние этого механизма рассеяния на подвижность носителей заряда. Наблюдается удовлетворительное согласие между расчетными и экспериментальными подвижностями дырок. Развитая модель может использоваться для рассмотрения других кинетических явлений.

J.Y.W. Seto. J. Appl. Phys, 46, 5247 (1975)
N.C.C. Lu, C.Y. Gerberg, C.Y. Lu, J.D. Meidl. IEEE Trans. Electron Dev., ED-28, 818 (1981)
M.M. Manddurah, K.C. Saraswat, T.I. Kamins. IEEE Trans. Electron Dev., ED-28, 1163 (1981)
M.M. Manddurah, K.C. Saraswat, T.I. Kamins, IEEE Trans. Electron Dev., ED-28, 1171 (1981)
К.М. Дощанов. ФТП, 32, 690 (1998)
К.М. Дощанов. ФТП, 31, 954 (1997)
Д.В. Шенгуров, Д.А. Павлов, В.Н. Шабанов, В.Г. Шенгуров, А.Ф. Хохлов. ФТП, 32, 627 (1998)
Chung-Hui Cheu, Yean-Kuen Fang, Chin-Wei Yang, Ta-Wei Wang, Yung-Lung Hsu, Shun-Liang Hsu. IEEE Electron Dev. Lett., 22, 524 (2001)
Hang-Ming Chuang, Kong-Beng Thei, Sheng-Fu Tsai, Wen-Chau Liu. IEEE Trans. Electron Dev., 50, 1413 (2003)
С.А. Колосов, Ю.В. Клевков, А.Ф. Плотников. ФТП, 38, 305 (2004)
С.А. Колосов, Ю.В. Клевков, А.Ф. Плотников. ФТП, 38, 473 (2004)
А.И. Ансельм. Введение в теорию полупроводников (М., Наука, 1978) гл. VII
A.F. Mayadas, M. Shatzkes. Phys. Rev. B, 1, 1382 (1970)
В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников (М., Наука, 1977) гл. XIV
D. Maier-Schneider, A. Koprululu, S. Ballhausen Holm, E. Obermeier. J. Micromech. Microeng, 6, 436 (1996)
А.И. Ансельм, В.И. Клячкин. ЖЭТФ, 22, 297 (1952)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель