Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

О влиянии флуктуаций толщины на статическую электропроводность квантовой полупроводниковой проволоки

Рувинский М.А.¹, Рувинский Б.М.¹

¹Прикарпатский национальный университет им. В. Стефаника, Ивано-Франковск, Украина Stefanik Precarpathian National University, Ivano-Frankivsk, Ukraine

Stefanik Precarpathian National University, Ivano-Frankivsk, Ukraine

Поступила в редакцию: 24 мая 2004 г.

Выставление онлайн: 20 января 2005 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Получены выражения для времени релаксации, подвижности электронов и статической электропроводности вдоль полупроводниковой квантовой проволоки, обусловленные случайным полем гауссовых флуктуаций толщины проволоки. Для невырожденной статистики носителей тока при достаточно низких температурах (T) подвижность электронов u_n propto T^1/2. В предельном случае сильного магнитного поля H, направленного вдоль длины проволоки, в подвижности возникает множитель H^-1/2. Показано, что рассмотренный механизм релаксации носителей заряда является существенным для электропроводности достаточно тонкой и чистой проволоки при низких температурах.

Nanotechnology, ed. by G. Timp (N. Y., Springer, 1999)
Y. Imry. Introduction to Mesoscopic Physics (Oxford, University Press, 2002)
Н.А. Поклонский, Е.Ф. Кисляков, С.А. Вырко. ФТП, 37 (6), 735 (2003)
H. Bruus, K. Flensberg, H. Smith. Phys. Rev. B, 48 (15), 11 144 (1993)
H. Smith, H. H jgaard. Transport Phenomena (Oxford, University Press, 1989)
А.И. Ансельм. Введение в теорию полупроводников (М., Наука, 1978)
B.K. Ridley. Quantum Processes in Semiconductors (Oxford, Clarendon Press, 1999)
А.П. Прудников, Ю.А. Брычков, О.И. Маричев. Интегралы и ряды. Элементарные функции (М., Наука, 1981)
J.S. Blakemore. J. Appl. Phys., 53, R 123 (1982)
E.E. Mendez, P.J. Price, M. Heiblum. Appl. Phys. Lett., 45, 294 (1984)
P.K. Basu, P. Ray. Phys. Rev. B, 44 (4), 1844 (1991)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель