Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Деполяризация в структуре металл--p-сегнетоэлектрик--n-полупроводник
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 5 июля 2004 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2005 г.
Выполнен расчет деполяризации в структуре металл-p-сегнетоэлектрик-n-полупроводник, основанный на анализе экспериментальных параметров петли гистерезиса структуры металл-сегнетоэлектрик-металл. Для полупроводника уравнение Пуассона решается известными методами, для сегнетоэлектрика - численным интегрированием. Рассмотрены два варианта параметров полупроводника. 1. Широкая n-область, за областью объемного заряда имеется область электрической нейтральности. 2. Тонкая n-область, электрическое поле проникает сквозь n-область. Показано, что деполяризация существенно уменьшает поляризацию сегнетоэлектрика, причем это уменьшение более значительно для полупроводника с меньшей концентрацией примеси. В случае, когда электрическое поле проходит через всю n-область, деполяризация уменьшается с уменьшением толщины n-области.
- J.F. Scott, D.A. Araujo. Science, 246, 1400 (1989)
- Y. Watanabe, Y. Matsumoto, M. Tanamura. Jap. J. Appl. Phys., pt 1, 34, 5254 (1995)
- Y. Watanabe. Phys. Rev. B, 59, 11 257 (1999)
- W. Wu, K.H. Wong, C.L. Mak at al. J. Appl. Phys., 88, 2068 (2000)
- Y.T. Kim, D.S. Shin. Appl. Phys. Lett., 71, 3507 (1997)
- Б.М. Вул, Г.М. Гуро, И.И. Иванчик. ФТП, 4, 162 (1970)
- R.R. Mehta, B.D. Silverman, J.T. Jacobs. J. Appl. Phys., 44, 3379 (1973)
- I.P. Batra, P. Wurfel. Phys. Rev. B, 8, 3257 (1973)
- P. Wurfel, I.P. Batra. Phys. Rev. B, 8, 5126 (1973)
- Л.С. Берман. ФТП, 35, 200 (2001)
- M.W. Prins, K.O. Grosse-Holz, G. Muller et al. Appl. Phys. Lett., 68, 3650 (1996)
- M.W. Prins, S.E. Zinnemers, J.F.M. Cillessen et. al. Appl. Phys. Lett., 70, 458 (1997)
- M.W. Prins, K.O. Grosse-Holz, J.F.M. Cillessen et. al. J. Appl. Phys., 83, 888 (1998)
- J.M. Benedetto, R.A. Moore, Mc Lean. J. Appl. Phys., 75, 460 (1994)
- P.K. Larsen, G.J.M. Dormans, D.J. Taylor, P.J. van Veldhoven. J. Appl. Phys., 76, 2405 (1994)
- Л.С. Берман, И.Е. Титков. ФТП, 38 (6), 69 (2004)
- S.L. Miller, J.P. Schwank, R.D. Nasby, M.S. Rodgers. J. Appl. Phys., 68, 6463 (1990)
- S.L. Miller, J.R. Schwank, R.D. Nasby, M.S. Rodgers. J. Appl. Phys., 70, 2849 (1991)
- С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1981) т. 1
- J.F.M. Cillessen, M.W.J. Prins, R.M. Wolf. J. Appl. Phys., 81, 2778 (1997)
- V.P. Afanasjev, A.A. Petrov, I.P. Pronin, E.A. Tarakanov. J. Phys.: Condens. Mater., 39 (13), 138 (2001).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
