Предложен метод измерения времени жизни носителей заряда в базовых областях p⁺-n-n⁺-структур, позволяющий производить измерения времен жизни в наносекундном диапазоне. Разработанная методика предусматривает такую же форму измерительного импульса тока, какая используется при стандартных измерениях времен восстановления диодных структур. На основе анализа решения уравнения непрерывности для дырок в области базы дано обоснование метода. Проведено сравнение расчетных данных с данными, полученными экспериментально.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.