На эпитаксиальных слоях 4H-SiC толщиной 50 мкм, выращенных методом газотранспортной эпитаксии, термовакуумным напылением Cr были изготовлены барьеры Шоттки площадью 10^-2 см². Концентрация нескомпенсированных доноров в пленках составляла (4-6)· 10¹⁴ см^-3, что позволяло при обратном смещении 400 В развить рабочую зону детектора до ~ 30 мкм. Спектрометрические характеристики детекторов определялись с использованием alpha-частиц в диапазоне энергий 4.8-7.7 МэВ. Для линий 5.0-5.5 МэВ достигнуто значение разрешения по энергии менее 20 кэВ (0.34%), что лишь в 2 раза уступает прецизионным кремниевым детекторам, изготовленным по спецализированной технологии. Величина максимальной амплитуды сигнала соответствует значению средней энергии образования пары электрон-дырка в SiC, равной 7.70 эВ.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.