Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2005, выпуск 3 » Статья стр. 388
<<<>>>
Мощные полупроводниковые лазеры на основе асимметричных гетероструктур раздельного ограничения
Винокуров Д.А.1, Зорина С.А.1, Капитонов В.А.1, Мурашова А.В.1, Николаев Д.Н.1, Станкевич А.Л.1, Хомылев М.А.1, Шамахов В.В.1, Лешко А.Ю.1, Лютецкий А.В.1, Налет Т.А.1, Пихтин Н.А.1, Слипченко С.О.1, Соколова З.Н.1, Фетисова Н.В.1, Тарасов И.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 14 июля 2004 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2005 г.
PDF версия
Методом МОС-гидридной эпитаксии получены асимметричные лазерные гетероструктуры раздельного ограничения со сверхшироким волноводом в системе твердых растворов AlGaAs/GaAs/InGaAs (длина волны излучения ~1080 нм). Исследованы оптические и электрические свойства лазеров с полосковым контактом шириной ~100 мкм. Показано, что в лазерах на основе асимметричных гетероструктур со сверхшироким волноводом (более 1 мкм) удается достичь генерации на основной поперечной моде и снизить внутренние оптические потери до 0.34 см-1. В лазерных диодах с длиной резонатора более 3 мм достигнуто снижение теплового сопротивления до 2oC/Вт и получена характеристическая температура T0=110oC в диапазоне от 0 до 100oC. В изготовленных лазерах достигнуты рекордные значения коэффициента полезного действия 74% и мощности оптического излучения 16 Вт в непрерывном режиме генерации. Наработка лазеров на отказ при 65oC, рабочей мощности 3-4 Вт в течение 1000 ч привела к падению мощности на 3-7%.
  1. Д.А. Лившиц, А.Ю. Егоров, И.В. Кочнев, В.А. Капитонов, В.М. Лантратов, Н.Н. Леденцов, Т.А. Налет, И.С. Тарасов. ФТП, 35, 380 (2001)
  2. F. Bugge, G. Erbert, J. Fricke, S. Gramlich, R. Staske, H. Wenzel, U. Zeimer, M. Weyers. Appl. Phys. Lett., 79, 1965 (2001)
  3. D.A. Livshits, I.V. Kochnev, V.M. Lantratov, N.N. Ledentsov, T.A. Nalyot, I.S. Tarasov, Zh.I. Alferov. Electron. Lett., 36, 1848 (2000)
  4. A. Al-Muhanna, L.J. Mawst, D. Botez, D.Z. Garbuzov, R.U. Martinelli, J.C. Connoly. Appl. Phys. Lett., 73, 1182 (1998)
  5. А.В. Лютецкий, Н.А. Пихтин, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, Н.В. Фетисова, А.Ю. Лешко, В.В. Шамахов, А.Ю. Андреев, Е.Г. Голикова, Ю.А. Рябоштан, И.С. Тарасов. ФТП, 37, 1394 (2003)
  6. Е.Г. Голикова, В.А. Курешов, А.Ю. Лешко, Д.А. Лившиц, А.В. Лютецкий, Д.Н. Николаев, Н.А. Пихтин, Ю.А. Рябоштан, С.О. Слипченко, И.С. Тарасов, Н.В. Фетисова. Письма ЖТФ, 26 (20), 40 (2000)
  7. С.О. Слипченко, Д.А. Винокуров, Н.А. Пихтин, З.Н. Соколова, А.Л. Станкевич, И.С. Тарасов, Ж.И. Алфёров. ФТП, 38, 1477 (2004)
  8. Н.А. Пихтин, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, И.С. Тарасов. ФТП, 38, 374 (2004)
  9. M.R. Gokhale, J.C. Dries, P.V. Studenkov, S.R. Forrest, D.Z. Garbuzov. IEEE J. Quant. Electron., QE-33, 2266 (1997)
  10. И.А. Костко, В.П. Евтихиев, Е.Ю. Котельников, Г.Г. Зегря. ФТП, 33, 752 (1999)
  11. В.И. Швейкин, В.А. Геловани. Квантовая электрон., 32, 683 (2002)
  12. С.О. Слипченко, Н.А. Пихтин, Н.В. Фетисова, М.А. Хомылев, А.А. Мармалюк, Д.Б. Никитин, А.А. Падалица, П.В. Булаев, И.Д. Залевский, И.С. Тарасов. Письма ЖТФ, 29 (23), 26 (2003)
  13. В.П. Евтихиев, Д.З. Гарбузов, З.Н. Соколова, И.С. Тарасов, В.Б. Халфин, В.П. Чалый, А.В. Чудинов. ФТП, 19, 1420 (1985)
  14. L.V. Asryan, N.A. Gunko, A.S. Polkovnikov, G.G. Zegrya, R.A. Suris, P.K. Lau, T. Makino. Semicond. Sci. Technol., 15, 1131 (2000)
  15. Н.А. Пихтин, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, И.С. Тарасов. ФТП, 36, 364 (2002)
  16. Д.З. Гарбузов, А.В. Овчинников, Н.А. Пихтин, И.С. Тарасов, З.Н. Соколова, В.Б. Халфин. ФТП, 25, 928 (1991)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme