Повышение темпа и дискретизация кинетики изотермической поверхностной генерации неосновных носителей заряда в структурах металл--диэлектрик--полупроводник с планарно-неоднородным диэлектриком
Ждан А.Г.1, Гольдман Е.И.1, Гуляев Ю.В.1, Чучева Г.В.1
1Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Россия
Поступила в редакцию: 31 августа 2004 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2005 г.
Поверхностная генерация неосновных носителей заряда в кремниевых МОП структурах эффективна лишь на начальной безрекомбинационной стадии. За время t~ 10-5 с устанавливается квазиравновесие между центрами поверхностной генерации и зоной неосновных носителей заряда, и в отсутствие иных каналов генерации носителей равновесное состояние инверсии при 300 K установилось бы в течение t=tбесконечность>103 лет. Реально время tбесконечность намного меньше вследствие рождения неравновесных носителей через центры, локализованные на гетерогранице SiO2/Si по периферии затвора. Краевую генерацию просто имитировать в МОП структуре с единым затвором, изолированным от Si слоями окисла различной толщины. При обедняющих потенциалах затвора Vg роль периферии играет мелкая потенциальная яма под более толстым окислом, а кинетика тока генерации I(t) становится необычной: на зависимостях I(t) наблюдаются две дискретных ступеньки, длительность и высота которых - функции Vg. Анализ кривых I(t) позволяет определять электронные характеристики поверхности Si в состояниях начального обеднения (t=0) и равновесной инверсии (t=tбесконечность), а также параметры центров поверхностной инерции, включая их энергетическое и пространственное распределения. Функционально специализированная планарная неоднородность подзатворного изолятора - перспективная основа динамических сенсоров с интегрирующими и пороговыми свойствами.
- В.Г. Литовченко, А.П. Горбань. Основы физики микроэлектронных систем металл--диэлектрик--полупроводник (Киев, Наук. думка, 1978)
- E.H. Nicollian, I.R. Brews. MOS (Metal Oxide Semiconductor) Physics and Technology (N.Y., John Willey @ Sons, 1982).
- Технология СБИС, под ред. С. Зи (М., Мир, 1986) т. 2
- Приборы с зарядовой связью, под ред. М. Хоувза, Д. Моргана (М., Энергоиздат, 1981)
- W.D. Brown, J.E. Brewer. Nonvolatile Semiconductor Memory Technology (N.Y., IEEE Press, 1998)
- С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984)
- Е.И. Гольдман, А.Г. Ждан. Микроэлектроника, 23, 3 (1994)
- Е.И. Гольдман, А.Г. Ждан, А.М. Сумарока. ФТП, 26, 2048 (1992)
- W. Schokly, W. Read. Phys. Rev., 87, 835 (1952)
- R. Hall. Phys. Rev., 87, 387 (1952)
- В.А. Гергель, В.А. Зимогляд, Н.В. Жуков, В.В. Ракитин. Микроэлектроника, 17, 406 (1968)
- Е.И. Гольдман. ФТП, 27, 269 (1993)
- Е.И. Гольдман, А.Г. Ждан, А.М. Сумарока. Письма ЖЭТФ, 57, 783 (1993)
- Е.И. Гольдман, А.Г. Ждан, Г.В. Чучева. ПТЭ, N 6, 677 (1997)
- C.G.B. Garrett, W.H. Brattain. Phys. Rev., 99, 376 (1955)
- Е.И. Гольдман, В.А. Иванов. Препринт ИРЭ РАН N 22 [551] (М., 1990)
- Ю.В. Гуляев, А.Г. Ждан, В.Г. Приходько. Препринт ИРЭ РАН N 46 [418] (М., 1984)
- А.Г. Ждан, Н.Ф. Кухарская, Г.В. Чучева. ПТЭ, N 2, 120 (2002)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
