Вышедшие номера
Термополевой прямой ток в поверхностно-барьерных структурах на основе GaN
Бланк Т.В.1, Гольдберг Ю.А.1, Заварин Е.Е.1, Константинов О.В.1, Шмидт Н.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 2 августа 2004 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2005 г.

Приводятся результаты экспериментальных исследований зависимостиемкости и прямого тока от напряжения и температуры для поверхностно-барьерных структур Ni-n-GaN. Экспериментальные результаты сравниваются с теорией термополевой эмиссии Падовани-Страттона. Установлено, что прямой ток поверхностно-барьерных структур Ni-n-GaN (концентрация электронов в GaN ~ 1017 см-3) в интервале температур 250-410 K обусловлен термополевой эмиссией электронов, имеющих энергию на ~0.1 эВ ниже вершины потенциального барьера.