Вышедшие номера
Исследование механических напряжений в селективно-оксидированных структурах GaAs/(AlGa)xOy
Блохин С.А.1, Смирнов А.Н.1, Сахаров А.В.1, Гладышев А.Г.1, Крыжановская Н.В.1, Малеев Н.А.1, Жуков А.Е.1, Семенова Е.С.1, Бедарев Д.А.1, Никитина Е.В.1, Кулагина М.М.1, Максимов М.В.1, Леденцов Н.Н.1, Устинов В.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 7 декабря 2004 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2005 г.

Для изучения процесса селективного оксидирования слоев Al0.97Ga0.03As применена спектроскопия комбинационного рассеяния света. Определены механические напряжения, возникающие в структурах GaAs/(AlGa)xOy при различных режимах процесса селективного оксидирования. Проанализированы эффекты локального нагрева образцов лазерным излучением при измерениях комбинационного рассеяния света, "задубливания" фоторезиста при оксидировании и "переоксидирования". Проведена оптимизация аппаратуры и методики селективного оксидирования, позволившая реализовать матрицы вертикально излучающих лазеров с активной областью на основе двух квантовых ям InGaAs с верхним оксидированным и нижним полупроводниковым распределенными брэгговскими отражателями.